[發明專利]環形深層絕緣結構的石墨烯硅基太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201611062791.6
• 申請日: 2016-11-28
• 公開（公告）號: CN106374002B
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 況亞偉;馬玉龍;倪志春;魏青竹;楊希峰;朱丹鳳;劉玉申;馮金福
• 申請（專利權）人: 常熟理工學院;蘇州騰暉光伏技術有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0745;H01L31/18
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204
• 代理人: 張俊范

1.一種環形深層絕緣結構的石墨烯硅基太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括對單晶硅片進行不同濃度的摻雜得到第一摻雜區和第二摻雜區，在第一摻雜區表面制備背電極，在第二摻雜區表面制備具有通孔的環狀二氧化硅層，在二氧化硅層的表面和由二氧化硅層通孔暴露的第二摻雜區表面設置石墨烯薄膜，在石墨烯薄膜表面制備前電極，其中在第二摻雜區表面制備具有通孔的環狀二氧化硅層采用以下方式進行，首先在氣壓區間0.1Mpa～0.5Mpa，溫度區間600℃～800℃，利用氧氣對第二摻雜區表面進行一次氧化；再利用氮氣、氬氣、氦氣三種惰性氣體中的一種與氧化劑在氣壓區間0.8Mpa～1.2Mpa，高溫度區間900℃～1200℃進行二次氧化；二氧化硅層陷入第二摻雜區的厚度為0.2～2μm。

2.根據權利要求1所述的環形深層絕緣結構的石墨烯硅基太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述通孔為矩形孔，所述矩形孔的相對兩側間距為10～50μm。

3.根據權利要求1所述的環形深層絕緣結構的石墨烯硅基太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜區與第二摻雜區摻雜類型同為n型或p型。

4.根據權利要求1所述的環形深層絕緣結構的石墨烯硅基太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜區摻雜濃度為1×10¹²cm^-3～1×10¹⁵cm^-3，所述第二摻雜區摻雜濃度為1×10¹⁴cm^-3～1×10¹⁷cm^-3。

5.根據權利要求1所述的環形深層絕緣結構的石墨烯硅基太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜為單層或多層石墨烯，厚度為1～100nm。

6.根據權利要求1所述的環形深層絕緣結構的石墨烯硅基太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述背電極材質為Cu、Ag、Al、ZnO和ITO中的一種。

7.根據權利要求1所述的環形深層絕緣結構的石墨烯硅基太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述氧化劑為CrO₃、KO₃、CsO₃和RbO₃中的一種。