[發明專利]螺旋位錯驅動生長螺旋型層狀硒化錫納米片的制備方法有效

申請號：	201611062238.2	申請日：	2016-11-28
公開（公告）號：	CN106744727B	公開（公告）日：	2019-02-01
發明（設計）人：	劉金養;黃青青;徐楊陽;錢永強;林麗梅;黃志高;賴發春	申請（專利權）人：	福建師范大學
主分類號：	C01B19/04	分類號：	C01B19/04;B82Y40/00
代理公司：	福州君誠知識產權代理有限公司 35211	代理人：	張耕祥
地址：	350007 福建省福***	國省代碼：	福建;35
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摘要：
搜索關鍵詞：	納米片硒化螺旋型螺旋位錯制備驅動生長螺旋周期性技術路線前驅液溶劑法原子級
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【說明書】：

本發明公開了一種螺旋位錯驅動生長螺旋型層狀硒化錫納米片的制備方法，利用溶劑法的技術路線來制備螺旋型層狀硒化錫納米片，通過控制前驅液的濃度來控制硒化錫納米片以螺旋位錯驅動生長，該方法操作簡單、成本低，所制得的螺旋型層狀硒化錫納米片具有原子級厚度的螺旋周期性。

技術領域

本發明涉及硒化錫納米片制備領域，尤其是一種螺旋位錯驅動生長螺旋型層狀硒化錫納米片的制備方法。

背景技術

原子級厚度的二維材料包括石墨烯、氮化硼以及過渡金屬硫化物等等都顯示了與其塊體材料所不同的新特性，使其在電子器件、光電子器件等方面存在良好的應用前景。然而，目前精確生長厚度、尺寸、結構、對稱性以及成分等可控的二維材料仍然存在重要的挑戰。硒化錫作為一種存儲豐富、毒性低、化學穩定性好的窄帶隙的P型半導體材料，在太陽能電池、光電探測器和近紅外光電設備上都有良好的應用前景。迄今為止，通過化學法將硒化錫納米花、納米片以及納米線等一系列硒化錫納米結構都已經合成出來；然而，一些獨特的納米結構例如原子級厚度的螺旋型層狀硒化錫納米片卻很少研究。

發明內容

為了解決現有技術的不足，本發明針對二維材料厚度、尺寸、結構、對稱性以及成分難以調控的現狀，提供一種可靠有效、調控簡單的螺旋位錯驅動生長螺旋型層狀硒化錫納米片的制備方法。

為了實現上述的技術目的，本發明的技術方案為：

螺旋位錯驅動生長螺旋型層狀硒化錫納米片的制備方法，其包括以下步驟：

1）在室溫條件下，配置濃度為0.4～1.0mmol/L的氯化亞錫、濃度為0.4～1.0mmol/L的二氧化硒和濃度為160～400g/L的聚乙烯吡咯烷酮的苯甲醇溶液，并混合均勻；

2）將混合均勻后的溶液轉移至三頸圓底燒瓶中進行密封和攪拌，并緩慢通入保護氣體；

3）在保護氣體氛圍中，將溶液加熱至190～210℃，并恒溫保持12～18h；

4）將溶液自然冷卻至室溫后，在900～1100rpm的轉速下進行離心8～12min，所得離心產物用無水乙醇進行洗滌過濾，并保存在無水乙醇溶液中，即制得螺旋位錯驅動生長螺旋型層狀硒化錫納米片。

進一步，所述步驟1）中氯化亞錫的濃度為0.8mmol/L，二氧化硒的濃度為0.8mmol/L，聚乙烯吡咯烷酮的濃度為320g/L。

進一步，所述的步驟1）中氯化亞錫、二氧化硒和聚乙烯吡咯烷酮按1mmol/L：1mmol/L：400g/L的比例混合均勻。

進一步，所述步驟2）和步驟3）的保護氣體為氮氣、氦氣或氬氣。

進一步，所述的步驟3）在保護氣體氛圍中，溶液被加熱至200℃。