[發明專利]腔室

在審

• 申請號: 201611061883.2
• 申請日: 2016-11-28
• 公開（公告）號: CN108118287A
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 楊敬山;郭浩
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/00
• 分類號: C23C14/00;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

本發明提供一種腔室，包括用于承載被加工工件的承載件，以及設置在其上方的加熱裝置，該加熱裝置用于朝向被加工工件輻射熱量，加熱裝置包括：安裝板，設置在承載件的上方；熱源，設置在安裝板的下方，且沿安裝板的周向間隔分布；調節組件，調節組件設置在安裝板上并與熱源連接，能使熱源沿安裝板的徑向移動。本發明提供的腔室，其可以滿足對多種尺寸的被加工工件的加熱均勻性的要求。

技術領域

本發明涉及半導體加工技術領域，具體地，涉及一種腔室。

背景技術

物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，以下簡稱PVD)技術是微電子領域常用的加工技術，如，用于加工集成電路中的銅互連層。制作銅互連層主要包括去氣、預清洗、Ta(N)沉積以及Cu沉積等步驟，其中，去氣步驟是去除基片等被加工工件上的水蒸氣及其它易揮發性雜質。在實施去氣步驟時，需要利用加熱腔室將基片等被加工工件加熱至300℃以上。

圖1為現有的加熱腔室的結構示意圖。請參閱圖1，在加熱腔室1的內部設置有密封石英窗2，借助密封石英窗2將加熱腔室分隔為上子腔室和下子腔室，上子腔室為大氣環境，下子腔室為真空環境。其中，在下子腔室內設置有用于承載被加工工件3的支撐柱4；在上子腔室內設置有加熱裝置，該加熱裝置包括多個熱源6，多個熱源6沿安裝板7的周向間隔分布，并且，每個熱源6通過安裝座5固定在安裝板7上，且位于反射板8的下方，用以通過熱輻射方式透過密封石英窗2對被加工工件3進行加熱。

但是，由于熱源6的位置是固定的，在這種情況下，不同尺寸的被加工工件對熱量的吸收情況不同，從而導致某些尺寸的被加工工件的加熱均勻性較差，因此，單一位置的熱源6無法滿足對多種尺寸的被加工工件的加熱均勻性的要求。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種腔室，其可以滿足對多種尺寸的被加工工件的加熱均勻性的要求。

為實現本發明的目的而提供一種腔室，包括用于承載被加工工件的承載件，以及設置在所述承載件上方的加熱裝置，所述加熱裝置用于向所述被加工工件輻射熱量，所述加熱裝置包括：安裝板，所述安裝板設置在所述承載件上方；熱源，所述熱源設置在所述安裝板的下方；調節組件，所述調節組件設置在所述安裝板上并與所述熱源連接，能使所述熱源沿所述安裝板的徑向移動。

優選地，所述調節組件包括：軌道，所述軌道沿所述安裝板的徑向設置；安裝座，所述安裝座與所述熱源連接，并能沿所述軌道移動；固定件，所述固定件設置在所述安裝座上，當所述安裝座帶動所述熱源移動至預設位置后，用于將所述安裝座固定在所述安裝板上。

優選地，所述軌道為沿所述安裝板徑向上的長通孔。

優選地，所述安裝座包括連接柱和連接板，其中，所述連接板疊置在所述長通孔上；所述連接柱第一端與所述熱源連接，第二端穿過所述長通孔，并與所述連接板連接。

優選地，在所述安裝板上，位于所述長通孔相對的兩側設置有兩組第一螺紋孔；在所述連接板上設置有兩組第二螺紋孔；所述固定件為螺釘，所述螺釘穿過所述第一螺紋孔和所述第二螺紋孔，以將所述連接板固定于所述安裝板。

優選地，包括多組所述熱源，多組所述熱源分別沿所述安裝板的不同半徑的周向間隔分布；所述調節組件為多個，且一一對應地與多組所述熱源連接。

優選地，所述腔室還包括反射板，所述反射板疊置在所述安裝板的下表面，且位于所述熱源的上方。

優選地，所述反射板采用鋁制作，且對所述反射板的下表面進行光滑處理。

優選地，所述加熱腔室還包括屏蔽件，所述屏蔽件環繞設置在所述腔室的腔體的內壁。

優選地，所述腔室還包括介質窗，所述介質窗設置在所述熱源與所述承載件之間。

本發明具有以下有益效果：