[發明專利]薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示設備

有效

• 申請號: 201611061662.5
• 申請日: 2016-11-28
• 公開（公告）號: CN106653686B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 徐琳;袁波;高勝
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

本發明實施例公開了一種薄膜晶體管的制備方法、由該方法制備所得的薄膜晶體管、應用該薄膜晶體管的陣列基板以及應用該陣列基板的顯示設備。該方法包括：提供基板，在所述基板一側的表面形成預設形狀的有源層，所述有源層的表面具有刻蝕用的光刻膠層；在所述有源層的周側形成輔助絕緣層；在所述輔助絕緣層和有源層的表面形成柵絕緣層。本發明通過在有源層的周側增加輔助絕緣層，使得柵絕緣層在有源層的周側的覆蓋性較好，有效改善由于柵極絕緣層覆蓋性差導致的器件可靠性差的問題。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種薄膜晶體管的制備方法、由該方法制備所得的薄膜晶體管、應用該薄膜晶體管的陣列基板以及應用該陣列基板的顯示設備。

背景技術

薄膜晶體管(Thin-film transistor，TFT)由于其良好的開關特性，目前被廣泛應用于顯示設備之中。

如圖1所示，現有的薄膜晶體管的結構一般包括基板11、有源層12和柵極絕緣層13，有源層12形成于基板上側的表面，柵絕緣層13覆蓋有源層12以及部分的基板11。

然而，在圖1所示的薄膜晶體管內，由于柵絕緣層13在有源層的邊緣的覆蓋性較差，有源層12邊緣上的膜層比位于中間的主溝道區域上的膜層要薄。在薄膜晶體管使用時，有源層12內膜層較薄的邊緣區域首先達到飽和電流，此時有源層12邊緣區域會被開啟；后續，隨著有源層12中間的主溝道區域的電流的持續上升，主溝道區域也達到飽和電流，主溝道區域也被開啟，使得整個薄膜晶體管開啟。這種情況導致現有薄膜晶體管的開關可靠性較差。

發明內容

本發明實施例的目的是提供一種薄膜晶體管的制備方法、由該方法制備所得的薄膜晶體管、應用該薄膜晶體管的陣列基板以及應用該陣列基板的顯示設備，以解決上述問題。

為解決上述技術問題，本發明實施例提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括：

提供基板，在所述基板一側的表面形成預設形狀的有源層，所述有源層的表面具有刻蝕用的光刻膠層；

在所述有源層的周側形成輔助絕緣層；

在所述輔助絕緣層和有源層的表面形成柵絕緣層。

在本發明實施例中，在所述基板一側的表面形成預設形狀的有源層，具體包括：

在基板一側的表面沉積非晶硅材料；

對所沉積的非晶硅材料進行晶化，得到多晶硅材料；

在所述多晶硅材料的表面形成光刻膠層；

圖案化所述光刻膠層，以得到用于形成所述預設形狀的有源層的圖案；

基于所述光刻膠層刻蝕所述多晶硅材料，得到預設形狀的多晶硅材料，以作為有源層。

在本發明實施例中，圖案化所述光刻膠，以得到用于形成所述預設形狀的有源層的圖案，具體包括：

圖案化所述光刻膠層，以得到周側為斜坡狀的有源層的圖案。

在本發明實施例中，對所沉積的非晶硅材料進行晶化，具體包括：

通過激光晶化工藝、固相晶化工藝或快速熱退火工藝對所沉積的非晶硅材料進行晶化。

在本發明實施例中，在所述有源層的周側形成輔助絕緣層，具體包括：

在位于所述有源層表面的光刻膠層和所述基板的表面沉積絕緣層；

去除位于所述有源層表面的光刻膠層以及位于所述該光刻膠層上的絕緣層，得到位于所述有源層周側的輔助絕緣層。

在本發明實施例中，去除位于所述有源層表面的光刻膠層以及位于所述該光刻膠層上的絕緣層時，所述方法還包括：