[發(fā)明專利]一種可對(duì)中的晶圓傳遞裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611061303.X | 申請(qǐng)日: | 2016-11-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108109951A | 公開(公告)日: | 2018-06-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫元斌;谷德君 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 沈陽(yáng)芯源微電子設(shè)備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683 |
| 代理公司: | 沈陽(yáng)科苑專利商標(biāo)代理有限公司 21002 | 代理人: | 白振宇 |
| 地址: | 110168 遼*** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 中間臂 晶圓 分叉臂 凸臺(tái) 反射型光纖傳感器 晶圓傳遞裝置 手臂本體 真空吸附 背面 手臂 激光 圓滑 晶圓邊緣 晶圓加工 異常報(bào)警 真空吸盤 工藝流程 變形的 翹曲量 柔軟型 柱狀塊 傳遞 反射 照射 兼容 檢測(cè) | ||
1.一種可對(duì)中的晶圓傳遞裝置,其特征在于:包括手臂本體(1)、柔軟型真空吸盤(3)及反射型光纖傳感器(4),其中手臂本體(1)的前部分為中間臂(6)及位于該中間臂(6)兩側(cè)的分叉臂(7),所述中間臂(6)及兩側(cè)的分叉臂(7)上均設(shè)有多個(gè)柱狀塊(2),所述柔軟型真空吸盤(3)安裝在中間臂(6)上;所述中間臂(6)的后端及兩側(cè)分叉臂(7)的前端分別設(shè)有用于晶圓滑入對(duì)中的凸臺(tái),各凸臺(tái)與晶圓的接觸面均為斜面,晶圓進(jìn)行手臂本體(1)后通過(guò)所述斜面及凸臺(tái)實(shí)現(xiàn)對(duì)中;所述反射型光纖傳感器(4)安裝于中間臂(6)的背面,通過(guò)中間臂(6)上開設(shè)的縫隙(11)照射激光到晶圓邊緣的背面,反射回來(lái)的激光再通過(guò)所述反射型光纖傳感器(4)檢測(cè)接收。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可對(duì)中的晶圓傳遞裝置,其特征在于:所述手臂本體(1)呈Y形,兩側(cè)所述分叉臂(7)以手臂本體(1)的中心線為軸對(duì)稱設(shè)置,兩側(cè)所述分叉臂(7)上的柱狀塊(2)以手臂本體(1)的中心線為軸對(duì)稱布置,所述中間臂(6)上的柱狀塊(2)以手臂本體(1)的中心線為軸對(duì)稱布置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的可對(duì)中的晶圓傳遞裝置,其特征在于:所述柱狀塊(2)為橢圓形柱體,嵌套在所述手臂本體(1)上的橢圓形孔槽內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可對(duì)中的晶圓傳遞裝置,其特征在于:所述中間臂(6)后端的凸臺(tái)為凸臺(tái)B(9),該凸臺(tái)B(9)為弧形;兩側(cè)所述分叉臂(7)前端的凸臺(tái)為凸臺(tái)A(8),該凸臺(tái)A(8)為弧形,與所述凸臺(tái)B(9)位于同一圓上、形成圓弧形凹槽,所述凸臺(tái)A(8)與凸臺(tái)B(9)所在圓的直徑大于晶圓的外徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可對(duì)中的晶圓傳遞裝置,其特征在于:所述中間臂(6)的前端設(shè)有真空通道,該真空通道內(nèi)安裝有所述柔軟型真空吸盤(3),通過(guò)該柔軟型真空吸盤(3)配合所述反射型光纖傳感器(4)檢測(cè)晶圓在傳遞時(shí)的滑移或偏轉(zhuǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的可對(duì)中的晶圓傳遞裝置,其特征在于:所述柔軟型真空吸盤(3)的圓心位于手臂本體(1)的中心線上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可對(duì)中的晶圓傳遞裝置,其特征在于:所述中間臂(6)的背面設(shè)有凹槽(10),所述反射型光纖傳感器(4)容置于該凹槽(10)內(nèi),并通過(guò)傳感器壓板(5)固定于所述手臂本體(1)上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于沈陽(yáng)芯源微電子設(shè)備有限公司,未經(jīng)沈陽(yáng)芯源微電子設(shè)備有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611061303.X/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





