[發(fā)明專利]一種電力信號(hào)處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611059695.6 | 申請(qǐng)日: | 2016-11-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106788592B | 公開(公告)日: | 2019-11-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金志虎;汪瀾;胡祖敏;李文峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市共進(jìn)電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04B3/54 | 分類號(hào): | H04B3/54 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艷麗 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)南海大道1019號(hào)南山醫(yī)療器械產(chǎn)業(yè)園B11*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電力 信號(hào) 處理 裝置 | ||
1.一種電力信號(hào)處理裝置,其特征在于,所述電力信號(hào)處理裝置包括主屏蔽殼體以及設(shè)置在所述主屏蔽殼體中的低通濾波模塊、至少一個(gè)信號(hào)處理模塊和信號(hào)衰減模塊;
所述至少一個(gè)信號(hào)處理模塊中的每個(gè)信號(hào)處理模塊均包括第一屏蔽箱、第二屏蔽箱、第三屏蔽箱、設(shè)置在所述第一屏蔽箱中的交直流逆變單元、設(shè)置在所述第二屏蔽箱中的直交流逆變單元以及設(shè)置在所述第三屏蔽箱中的低通濾波單元、高頻耦合單元和射頻連接單元,還包括由所述第三屏蔽箱內(nèi)側(cè)壁延伸至所述主屏蔽殼體外側(cè)壁設(shè)置的插座;
所述低通濾波模塊通過同軸屏蔽電纜接入市電信號(hào),并通過同軸屏蔽電纜與所述交直流逆變單元連接;
所述交直流逆變單元、所述直交流逆變單元和所述低通濾波單元通過同軸電纜依次連接,所述低通濾波單元分別與所述高頻耦合單元和所述插座連接,所述高頻耦合單元還與所述射頻連接單元連接,所述射頻連接單元通過同軸屏蔽電纜與所述信號(hào)衰減模塊連接;
所述低通濾波模塊對(duì)所述市電信號(hào)進(jìn)行低通濾波得到第一低通交流電信號(hào),并輸給與其連接的所有所述交直流逆變單元;所述交直流逆變單元將所述第一低通交流電信號(hào)轉(zhuǎn)換為低通直流電信號(hào),并輸出給所述直交流逆變單元;所述直交流逆變單元將所述低通直流電信號(hào)轉(zhuǎn)換為低通交流電信號(hào),并輸出給所述低通濾波單元;所述低通濾波單元對(duì)所述低通交流電信號(hào)進(jìn)行低通濾波得到第二低通交流電信號(hào),并輸出給所述高頻耦合單元,還通過所述插座輸出給被測(cè)試設(shè)備;所述高頻耦合單元對(duì)所述第二低通交流電信號(hào)進(jìn)行耦合放大得到低通耦合交流電信號(hào),并通過所述射頻連接單元輸出給所述信號(hào)衰減模塊;所述信號(hào)衰減模塊對(duì)與其接收到的所有所述低通耦合交流電信號(hào)的頻率進(jìn)行預(yù)設(shè)幅度的衰減后將所有所述低通耦合交流電信號(hào)互相連通。
2.如權(quán)利要求1所述的電力信號(hào)處理裝置,其特征在于,所述信號(hào)處理模塊還包括第一濾波單元和第二濾波單元;
所述第一濾波單元設(shè)置在所述第一屏蔽箱內(nèi),并且連接在所述交直流逆變單元和所述直交流逆變單元之間;
所述第二濾波單元設(shè)置在所述第二屏蔽箱內(nèi),并且連接在所述直交流逆變單元和所述低通濾波單元單之間。
3.如權(quán)利要求2所述的電力信號(hào)處理裝置,其特征在于,所述第一濾波單元和所述第二濾波單元均為磁環(huán)。
4.如權(quán)利要求1所述的電力信號(hào)處理裝置,其特征在于,所述主屏蔽殼體、所述第一屏蔽箱、所述第二屏蔽箱和所述第三屏蔽箱上均開設(shè)有用于帶有金屬塔形接頭的線孔,所述線孔用于穿過同軸屏蔽電纜。
5.如權(quán)利要求1所述的電力信號(hào)處理裝置,其特征在于,所述主屏蔽殼體、所述第一屏蔽箱、所述第二屏蔽箱和所述第三屏蔽箱均由厚度大于或等于3毫米的良導(dǎo)體板材制成。
6.如權(quán)利要求1所述的電力信號(hào)處理裝置,其特征在于,所述主屏蔽殼體由厚度大于或等于10毫米的良導(dǎo)體板材制成。
7.如權(quán)利要求5或6任一項(xiàng)所述的電力信號(hào)處理裝置,其特征在于,所述良導(dǎo)體板材包括鐵磁體板材、鋁合金板材或高碳板材。
8.如權(quán)利要求5或6任一項(xiàng)所述的電力信號(hào)處理裝置,其特征在于,所述良導(dǎo)體板材為鐵鈷鎳板材。
9.如權(quán)利要求1所述的電力信號(hào)處理裝置,其特征在于,所述插座為包括金屬殼體的金屬插座。
10.如權(quán)利要求1所述的電力信號(hào)處理裝置,其特征在于,所述交直流逆變單元為交直流逆變器,所述直交流逆變單元為直交流逆變器,所述低通濾波模塊和所述低通濾波單元均為低通濾波器,所述高頻耦合單元為高頻耦合器,所述信號(hào)衰減模塊為可調(diào)衰減器。
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