[發(fā)明專利]電熔絲電路和防止電熔絲誤燒寫的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611059573.7 | 申請日： | 2016-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN108109666A | 公開（公告）日： | 2018-06-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 羅睿明;陳先敏 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | G11C17/18 | 分類號： | G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 高偉;卜璐璐 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 燒寫 存儲單元陣列 電熔絲電路 電荷泄放 電流提供單元 存儲單元 電熔絲 節(jié)點處 相交 電荷 泄放 引入 積累 | ||
1.一種電熔絲電路，其特征在于，所述電熔絲電路包括燒寫電流提供單元、存儲單元陣列、以及電荷泄放單元，其中：
所述燒寫電流提供單元用于提供燒寫電流以對所述存儲單元陣列中的存儲單元進行燒寫；以及
所述電荷泄放單元用于在一個存儲單元燒寫結(jié)束后、下一個存儲單元開啟前對所述燒寫電流提供單元與所述存儲單元陣列相交的節(jié)點處進行電荷泄放，以防止誤燒寫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲電路，其特征在于，所述電熔絲電路還包括：
讀取單元，所述讀取單元用于對所述存儲單元陣列中的存儲單元進行讀取；并且
所述電荷泄放單元還用于在一個存儲單元讀取結(jié)束后、下一個存儲單元讀取開始前對所述讀取單元與所述存儲單元陣列相交的節(jié)點處進行電荷泄放，以防止誤燒寫。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電熔絲電路，其特征在于，所述電荷泄放單元包括NMOS晶體管，所述NMOS晶體管在存儲單元的燒寫/讀取過程中關(guān)閉，并在該存儲單元燒寫/讀取結(jié)束后開啟，以進行所述電荷泄放。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電熔絲電路，其特征在于，所述燒寫電流提供單元包括PMOS晶體管，所述PMOS晶體管的源端接電源、漏端連接所述NMOS晶體管的漏端，所述NMOS晶體管的源端接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電熔絲電路，其特征在于，所述讀取單元包括靈敏放大器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電熔絲電路，其特征在于，所述讀取單元還包括對讀取進行控制的控制單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電熔絲電路，其特征在于，所述控制單元包括NMOS晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲電路，其特征在于，所述存儲單元陣列中的每個存儲單元包括串聯(lián)連接的熔絲和NMOS晶體管。
9.一種防止電熔絲誤燒寫的方法，其特征在于，所述方法包括：提供燒寫電流、并對存儲單元陣列中的存儲單元進行燒寫，其中，在一個存儲單元燒寫結(jié)束后、下一個存儲單元開啟前，對提供燒寫電流的單元與所述存儲單元陣列相交的節(jié)點處進行電荷泄放，以防止誤燒寫。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：提供讀取單元、并對所述存儲單元陣列中的存儲單元進行讀取，其中，在一個存儲單元讀取結(jié)束后、下一個存儲單元讀取開始前，對所述讀取單元與所述存儲單元陣列相交的節(jié)點處進行電荷泄放，以防止誤燒寫。
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