[發(fā)明專利]一種紅外窄帶輻射源及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611059137.X | 申請(qǐng)日: | 2016-11-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106768352B | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王少偉;郝加明;劉星星;李志偉;李華芬;許昊;陸衛(wèi);文政績(jī);戴寧;陳效雙 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 |
| 主分類號(hào): | G01J5/00 | 分類號(hào): | G01J5/00 |
| 代理公司: | 31213 上海新天專利代理有限公司 | 代理人: | 郭英<國際申請(qǐng)>=<國際公布>=<進(jìn)入國 |
| 地址: | 200083 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 輻射源 制備 窄帶 布拉格反射鏡 介質(zhì)腔 脈沖激光沉積 電子束蒸發(fā) 多層膜結(jié)構(gòu) 紅外光譜儀 離子束濺射 氣敏探測(cè)器 原子層沉積 波長(zhǎng)可調(diào) 磁控濺射 峰值輻射 光電特征 性能優(yōu)勢(shì) 窄帶光源 中心波長(zhǎng) 層厚度 單色性 高輻射 金屬層 熱蒸發(fā) 襯底 膜系 輻射 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明公開了一種紅外窄帶輻射源及其制備方法。該輻射源由多層膜結(jié)構(gòu)組成,包括金屬層、介質(zhì)腔層和介質(zhì)布拉格反射鏡。介質(zhì)腔層厚度和介質(zhì)布拉格反射鏡的厚度可以調(diào)節(jié)紅外窄帶輻射源的輻射中心波長(zhǎng)。膜系的制備方法可以采用磁控濺射、離子束濺射、電子束蒸發(fā)、熱蒸發(fā)、脈沖激光沉積、原子層沉積等其中的一種或者多種組合。這種紅外窄帶輻射源具有高輻射率,峰值輻射率接近100%,Q因子可達(dá)140以上、單色性好等突出性能優(yōu)勢(shì),并且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于大面積制備、波長(zhǎng)可調(diào)、可制備在柔性襯底上等一系列優(yōu)點(diǎn),在紅外窄帶光源、氣敏探測(cè)器、光電特征標(biāo)識(shí)和新型紅外光譜儀上有良好的應(yīng)用前景。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及功能材料領(lǐng)域,涉及一種紅外窄帶輻射源及其制備方法,尤其涉及一種可集成的、波長(zhǎng)可調(diào)紅外窄帶輻射源及其制備方法。
技術(shù)背景
紅外輻射源,也稱紅外光源,在氣敏探測(cè)、光電特征標(biāo)識(shí)和新型紅外光譜儀等方面存在廣泛的應(yīng)用。氣敏傳感器的核心組件是紅外輻射源和紅外探測(cè)器,通過紅外輻射源輻射的特定波長(zhǎng)的紅外光,如果這些波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)于氣體的本征吸收帶,則會(huì)被吸收,紅外探測(cè)器檢查的光信號(hào)就會(huì)減弱,通過這種變化來檢測(cè)氣體。由于不同氣體對(duì)應(yīng)于不同的本征吸收帶,紅外輻射源波長(zhǎng)需要靈活調(diào)節(jié),而且氣體的本征吸收帶很窄,只有納米量級(jí),對(duì)紅外窄帶輻射源帶寬具有很高的要求,需要帶寬很窄的紅外光源作為發(fā)射源。紅外光譜儀主要包含三大要素,紅外光源、分光器件和紅外探測(cè)器。傳統(tǒng)的紅外光譜儀中的紅外光源,構(gòu)成光譜儀時(shí)需借助分光系統(tǒng),但紅外波段的分光系統(tǒng)效率很低,需要占有很大空間,無法滿足系統(tǒng)小型化趨勢(shì)要求。因此,研制成本低廉,性能優(yōu)良,波長(zhǎng)可調(diào)節(jié)的微型紅外窄帶輻射源,成為了紅外應(yīng)用領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。目前可供選擇的紅外光源主要有四種:微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)紅外窄帶輻射源、量子級(jí)聯(lián)紅外激光器、紅外發(fā)光二極管和熱輻射紅外光源。
MEMS紅外窄帶輻射源。與傳統(tǒng)紅外輻射源相比,采用微電子機(jī)械系統(tǒng)加工技術(shù)制備的紅外輻射源具有體積小、功耗低、可調(diào)制等優(yōu)點(diǎn);然而,由于其需要采用多次微納加工,制備過程復(fù)雜,成本高,重復(fù)性和良率難以保證。量子級(jí)聯(lián)激光器可以發(fā)射高強(qiáng)度的窄帶光譜,并且可以實(shí)現(xiàn)快速調(diào)制,但是量子級(jí)聯(lián)激光器制造技術(shù)復(fù)雜、制作成本非常高。目前,這類激光器的制備技術(shù)尚不成熟,且制作成本非常高,因此這種激光器性能還不足以達(dá)到廣泛的實(shí)用化水平。紅外發(fā)光二極管發(fā)射的波長(zhǎng)短,強(qiáng)度低。發(fā)射的波長(zhǎng)通常小于5微米,其輻射功率只有幾個(gè)微瓦,因而大大限制了它的適用范圍。傳統(tǒng)熱輻射紅外光源是一種寬譜光源,調(diào)制特性差。通常為體輻射光源,需要另外加設(shè)機(jī)械斬波器以實(shí)現(xiàn)光源的調(diào)制輸出特性,因此體積龐大,使用不便。
針對(duì)上述傳統(tǒng)紅外光源存在的問題,本發(fā)明公開了利用金屬-介質(zhì)耦合腔以增強(qiáng)金屬對(duì)光的吸收,并通過介質(zhì)DBR選模的紅外窄帶輻射源及其制備方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開了一種紅外窄帶輻射源及其制備方法,結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。包括介質(zhì)布拉格反射鏡1、介質(zhì)腔層2、金屬層3和襯底4;介質(zhì)腔層2和金屬層3之間可以選擇生長(zhǎng)匹配層;介質(zhì)布拉格反射鏡1上可選擇加蓋保護(hù)層。該紅外窄帶輻射源工作波長(zhǎng)可覆蓋短波(1.1~3μm)、中波(3~6μm)乃至長(zhǎng)波(6~15μm)紅外波段;輻射發(fā)射率ε可高達(dá)100%。
所述的金屬層3可以是金、銀、銅、鋁、鎢、鉭、錸等金屬材料的一種,金屬層膜厚遠(yuǎn)大于輻射源向金屬內(nèi)傳播的穿透深度;所述的介質(zhì)腔層2為鍺、硅、硫化鋅或一氧化硅等在輻射波段具有弱吸收性質(zhì)的半導(dǎo)體或化合物材料,腔層厚度取決于材料的折射率和輻射源的工作波長(zhǎng);所述的介質(zhì)布拉格反射鏡1由輻射波段弱吸收的高折射率和低折射率材料交替生長(zhǎng)形成,如鍺、硅與硫化鋅、一氧化硅、氧化鉿之間任意一組搭配組合。
介質(zhì)布拉格反射鏡的設(shè)計(jì)原則如下:
1)選取材料。根據(jù)紅外窄帶輻射源的輻射波段,選擇在這一波段弱吸收的高折射率和低折射率介質(zhì)材料作為介質(zhì)腔和介質(zhì)布拉格反射鏡高、低折射率材料;例如高、低折射率介質(zhì)材料在短波紅外波段可分別選為氧化鉿、二氧化硅,中波紅外可分別選取硅、一氧化硅,長(zhǎng)波紅外則可分別選為鍺和硫化鋅、硒化鋅等。
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