[發明專利]一種發光二極管的外延片及其制作方法

有效

• 申請號: 201611057810.6
• 申請日: 2016-11-24
• 公開（公告）號: CN106784210B
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 馬歡
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管的外延片，其特征在于，所述外延片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、非摻雜GaN層、N型層、多量子阱層、第一空穴注入層、電子阻擋層、第二空穴注入層，所述第一空穴注入層包括交替層疊的P型AlInGaN層和P型InGaN層，所述電子阻擋層為AlGaN層，所述第二空穴注入層為間隔插入InN層的P型GaN層。

2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一空穴注入層的厚度為30～200nm。

3.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述第二空穴注入層的厚度為20～200nm。

4.一種發光二極管的外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在襯底上生長緩沖層；

在所述緩沖層上生長非摻雜GaN層；

在所述非摻雜GaN層上生長N型層；

在所述N型層上生長多量子阱層；

在所述多量子阱層上生長第一空穴注入層，所述第一空穴注入層包括交替層疊的P型AlInGaN層和P型InGaN層；

在所述第一空穴注入層上生長電子阻擋層，所述電子阻擋層為AlGaN層；

在所述電子阻擋層上生長第二空穴注入層，所述第二空穴注入層為間隔插入InN層的P型GaN層。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述在所述多量子阱層上生長第一空穴注入層，包括：

循環執行以下步驟m次，2≤m≤15：

在第一時間段內通入Ga源、In源、Al源、N源、以及P型摻雜劑，生長P型AlInGaN層；

在第二時間段內停止通入Al源，生長P型InGaN層。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一時間段為20～100s，所述第二時間段為20～100s。

7.根據權利要求4～6任一項所述的制作方法，其特征在于，所述第一空穴注入層的生長溫度為750～850℃，所述第一空穴注入層的生長壓力為100～300torr。

8.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述在所述電子阻擋層上生長第二空穴注入層，包括：

循環執行以下步驟n次，5≤n≤20：

在第三時間段內通入Ga源、N源、以及P型摻雜劑，生長P型GaN層；

在第四時間段內停止通入Ga源，同時通入In源，生長InN層。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第三時間段為20～50s，所述第四時間段為5～15s。

10.根據權利要求4、8、9任一項所述的制作方法，其特征在于，所述第二空穴注入層的生長溫度為950～1050℃，所述第二空穴注入層的生長壓力為100～700torr。