[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611052889.3 | 申請日: | 2016-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN107039491B | 公開(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 南敬真;金正五;金容玟;樸恩榮 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;董文國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置,包括:
具有多個(gè)溝槽的基板;
在所述基板上的薄膜晶體管;
連接至所述薄膜晶體管的發(fā)光二極管;
連接至所述發(fā)光二極管的陽極和陰極中之一的上輔助電極;以及
在所述基板的所述多個(gè)溝槽之中的輔助電極溝槽中的并且連接至所述上輔助電極的下輔助電極;以及
電連接至所述下輔助電極的中間輔助電極,
其中所述中間輔助電極利用與所述薄膜晶體管的源電極和漏電極相同的材料與所述源電極和漏電極形成在相同的層上;以及
其中所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置構(gòu)造為頂部發(fā)光型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,還包括在所述基板上的第一緩沖層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,還包括與所述薄膜晶體管交疊的遮光層,其中所述遮光層嵌入在所述基板的所述多個(gè)溝槽之中的遮光溝槽中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,還包括:
耐熱緩沖層;以及
第二緩沖層,
其中所述第一緩沖層、所述耐熱緩沖層和所述第二緩沖層依次上下堆疊在所述遮光層與所述薄膜晶體管之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中所述耐熱緩沖層包括具有比所述第一緩沖層和所述第二緩沖層的介電常數(shù)小的介電常數(shù)的有機(jī)膜材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,還包括嵌入在所述基板的下焊盤溝槽中的下焊盤電極、以及通過所述第一緩沖層連接至所述下焊盤電極的上焊盤電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,還包括:
位于所述下輔助電極上方的信號鏈路;以及
連接至所述信號鏈路的信號焊盤,
其中所述第一緩沖層、所述耐熱緩沖層和所述第二緩沖層依次上下堆疊在所述下輔助電極與所述信號鏈路之間,以及
其中:
所述信號焊盤包括所述下焊盤電極和所述上焊盤電極;
所述上焊盤電極通過焊盤接觸孔連接至所述下焊盤電極;以及
所述焊盤接觸孔穿過所述第一緩沖層和層間絕緣膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,還包括對準(zhǔn)標(biāo)記,所述對準(zhǔn)標(biāo)記嵌入在所述基板的所述多個(gè)溝槽之中的對準(zhǔn)標(biāo)記溝槽中或者設(shè)置在所述基板上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中所述中間輔助電極包括透明導(dǎo)電層和形成在所述透明導(dǎo)電層上的不透明導(dǎo)電層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中所述下焊盤電極由與所述遮光層的材料相同的材料形成。
11.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法,所述方法包括:
在基板中形成多個(gè)溝槽;
在所述多個(gè)溝槽之一中設(shè)置下輔助電極;
在所述基板上形成薄膜晶體管以及形成電連接至所述下輔助電極的中間輔助電極;
形成連接至所述薄膜晶體管的陽極和連接至所述下輔助電極的上輔助電極;
在所述陽極上形成有機(jī)發(fā)光層;以及
在所述有機(jī)發(fā)光層上形成陰極,
其中所述中間輔助電極利用與所述薄膜晶體管的源電極和漏電極相同的材料與所述源電極和漏電極形成在相同的層上;以及
其中所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置構(gòu)造為頂部發(fā)光型。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
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