[發(fā)明專利]一種用于高濕環(huán)境下的濕度傳感器的標(biāo)定方法

有效

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• 申請日: 2016-11-23
• 公開（公告）號: CN106940205B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高翔;常洋;李彥林;孫菲
• 申請（專利權(quán)）人: 北京航天易聯(lián)科技發(fā)展有限公司
• 主分類號: G01D18/00
• 分類號: G01D18/00
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 蘇培華

本發(fā)明提供了一種用于高濕環(huán)境下的濕度傳感器的標(biāo)定方法，包括：在恒溫槽內(nèi)的水面上方安裝有加熱裝置及反饋溫度探頭，在所述恒溫槽外安裝有濕度傳感器的電控部件，所述濕度傳感器的溫濕度傳感探頭放置在所述加熱裝置上；采用所述電控部件，控制所述加熱裝置跟隨恒溫槽設(shè)定溫度加熱到多個不同的溫度點(diǎn)；在每個溫度持續(xù)一段時間，直到所述溫濕度傳感探頭周圍的水汽處于飽和汽狀態(tài)且反饋溫度與濕度傳感器顯示溫度一致；根據(jù)當(dāng)前所述溫度對應(yīng)的飽和水汽絕對濕度值，對所述濕度傳感器進(jìn)行標(biāo)定。本發(fā)明實(shí)施例的方法，通過恒溫槽模擬高濕環(huán)境下的濕度值，又通過加熱及溫度反饋系統(tǒng)判斷系統(tǒng)是否達(dá)到要求，從而實(shí)現(xiàn)對現(xiàn)有的濕度傳感器的測量范圍進(jìn)行標(biāo)定。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及測試技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種用于高濕環(huán)境下的濕度傳感器的標(biāo)定方法。

背景技術(shù)

石油化工、電力煙囪氣體排量是否符合國家環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，需要對煙囪中的水汽含量進(jìn)行精確測量。現(xiàn)有的濕度傳感器按測試原理可分為干濕球法、增重法、濕敏電容式、半導(dǎo)體式、露點(diǎn)儀、紅外式及可調(diào)諧半導(dǎo)體光譜吸收 (TDLAS)等幾種，但是高溫?zé)煔猸h(huán)境下：現(xiàn)有的濕度傳感器并不適合煙囪的測試環(huán)境。

TDLAS氣體傳感器前端傳感探頭均為光學(xué)器件，不受電磁干擾，激光線寬窄，不受其他氣體干擾，是最適合高溫?zé)煔獗O(jiān)測的氣體傳感器。

但是對于TDLAS在高溫?zé)煔庵械膽?yīng)用有一個技術(shù)難題：煙囪中的氣體溫度一般在50～200℃，甚至?xí)哌_(dá)400℃，因此即使是水汽含量很低，絕對濕度數(shù)值也很大(50000～200000ppm)。即使TDLAS技術(shù)能夠滿足高溫?zé)煔獾臐穸葴y試要求，用以濕度校準(zhǔn)和標(biāo)定的裝置(如露點(diǎn)儀和濕度發(fā)生器)自身的測量范圍較小，無法滿足要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有的濕度傳感器自身的測量范圍較小，無法滿足要求。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種用于高濕環(huán)境下的濕度傳感器的標(biāo)定方法，包括：在恒溫槽內(nèi)的水面上方安裝有加熱裝置、所述濕度傳感器的溫濕度傳感探頭，在所述恒溫槽外安裝有濕度傳感器的電控部件，所述濕度傳感器的溫濕度傳感探頭放置在所述加熱裝置上；

采用所述電控部件，跟隨恒溫槽設(shè)定溫度控制所述加熱裝置加熱到多個不同的溫度點(diǎn)，所述電控部件連接的反饋溫度探頭在所述水面上方，用于檢測各個溫度點(diǎn)；

在每個溫度持續(xù)一段時間，直到所述溫濕度傳感探頭周圍的水汽處于飽和汽狀態(tài)且溫度與反饋溫度探頭檢測的溫度一致；

在所述水汽處于飽和汽狀態(tài)且溫度一致，根據(jù)當(dāng)前所述溫度對應(yīng)的濕度值，對所述濕度傳感器進(jìn)行標(biāo)定。

優(yōu)選地，所述方法之前包括：

采用濕度發(fā)生器及露點(diǎn)儀測得的基準(zhǔn)濕度值，對所述濕度傳感器進(jìn)行預(yù)標(biāo)定。

優(yōu)選地，所述加熱到多個不同的溫度點(diǎn)的過程包括：

所述電控部件控制所述加熱裝置加熱到第一溫度時，所述濕度傳感器在所述恒溫槽內(nèi)檢測到相同的所述基準(zhǔn)濕度值；

所述電控部件控制所述加熱裝置，在所述第一溫度的基礎(chǔ)上，加熱到所述多個溫度點(diǎn)。

優(yōu)選地，所述基準(zhǔn)濕度值為20000±5000ppm；所述第一溫度為20攝氏度；

多個所述溫度點(diǎn)為序列X，X＝20+10N，N為正整數(shù)。

優(yōu)選地，每個溫度持續(xù)一段時間包括：

所述N不大于5，持續(xù)40分鐘；所述N大于5，持續(xù)60分鐘。

優(yōu)選地，所述加熱裝置為加熱膜；所述電控部件包括：放置在所述恒溫槽外部的TDLAS主機(jī)和與所述加熱膜連接的溫控開關(guān)，安裝在所述恒溫槽內(nèi)與所述溫控開關(guān)電連接的監(jiān)測所述加熱膜溫度的反饋溫度探頭。