[發明專利]一種IGBT模塊內部芯片結溫測試方法在審
| 申請號： | 201611050121.2 | 申請日： | 2016-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN106771946A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 王志超;盧小東;徐妙玲;季莎;崔志勇;胡羽中 | 申請（專利權）人： | 北京世紀金光半導體有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司11003 | 代理人： | 尹振啟,張宇鋒 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 igbt 模塊 內部 芯片 測試 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種IGBT模塊內部芯片結溫測試方法，其特征在于，所述測試方法為：首先將IGBT芯片焊接在覆銅的陶瓷基板上，然后在IGBT芯片旁設定距離處焊接一個二極管芯片，所述二極管芯片的上表面是陽極，下表面是陰極；通過鋁線鍵合方式，將所述二極管芯片的兩個電極引出到所述陶瓷基板的覆銅層上，然后覆銅層再通過鋁線鍵合方式引出到外接的二極管芯片陽極端子和陰極端子上；通過測量電路獲得所述二極管芯片陽極端子和陰極端子之間的管壓降，根據二極管的正向導通壓降值和溫度的線性關系計算出二極管芯片的溫度，進而表征所述IGBT芯片的溫度。
2.根據權利要求1所述的IGBT模塊內部芯片結溫測試方法，其特征在于，所述設定距離為0.5-1mm。
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