[發(fā)明專利]一種電阻子電路噪聲模型結構及其建模方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611048937.1
• 申請日: 2016-11-23
• 公開（公告）號: CN106777523B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設計）人: 彭興偉;王偉
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G06F30/327
• 分類號: G06F30/327
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

1.一種電阻子電路噪聲模型結構，其特征在于，包括電阻子電路和并聯(lián)到所述電阻子電路的兩端的噪聲源，用于將電阻子電路的噪聲特性加入到電阻子電路模型中；其中，所述電阻子電路是根據(jù)電阻器件模型建模時所需要滿足的電阻精度要求形成；所述噪聲源噪聲值的大小和所述電阻子電路的長寬和流經(jīng)所述電阻子電路的電流與所述電阻子電路兩端所加的電壓頻率相關，其中，所述噪聲源噪聲的大小的公式如下：

其中，kf，af，lf，wf，ef是可以根據(jù)所述噪聲源噪聲值的大小進行調整的參數(shù)，weff是所述電阻子電路的有效寬度，leff是電阻的有效長度，i(r1)是流經(jīng)所述電阻子電路的電流，hertz為所述電阻子電路上的兩端所加的電壓頻率值，abs表示絕對值。

2.一種權利要求1中所述電阻子電路噪聲模型結構的建模方法，其特征在于，包括：

步驟S1：根據(jù)電阻器件模型建模時所需要滿足的電阻精度要求，將所述電阻器件模型轉換成電阻子電路的形式；

步驟S2：將電阻子電路的噪聲特性加入到電阻子電路模型中；即將所述電阻子電路的兩端并一個噪聲源；其中，所述噪聲源噪聲值的大小和所述電阻子電路的長寬和流經(jīng)所述電阻子電路的電流與所述電阻子電路兩端所加的電壓頻率相關；所述噪聲源噪聲的大小的公式如下：

其中，kf，af，lf，wf，ef是可以根據(jù)所述噪聲源噪聲值的大小進行調整的參數(shù)，weff是所述電阻子電路的有效寬度，leff是電阻的有效長度，i(r1)是流經(jīng)所述電阻子電路的電流，hertz為所述電阻子電路上的兩端所加的電壓頻率值，abs表示絕對值；

步驟S3：將具有預定電壓頻率值的電壓加載到所述電阻子電路上的兩端進行仿真運算。