[發明專利]一種半導體器件及半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201611048635.4
• 申請日: 2016-11-24
• 公開（公告）號: CN108109968B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 段慧萍;彭坤
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供包含核心電路的襯底，在所述襯底上形成有梳狀頂部金屬層，所述梳狀頂部金屬層與核心電路之間形成有導電連接；

在所述梳狀頂部金屬層上形成鈍化層，在所述鈍化層中形成露出部分所述梳狀頂部金屬層的開口；

在所述鈍化層的開口區域涂覆含有導電顆粒的涂層，所述導電顆粒粒徑大小隨機分布，其中部分粒徑大于所述開口直徑，部分粒徑小于所述開口直徑以使所述導電顆粒隨機填充所述開口。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述梳狀頂部金屬層包括多個并排設置的線狀金屬層，所述線狀金屬層的第一端通過位于所述線狀金屬層下部的第一導電通孔連接至所述核心電路，所述開口露出所述線狀金屬層的第二端。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述開口暴露所述線狀金屬層第二端的端面，在所述開口的下部形成有第二導電通孔，所述開口至少露出部分所述第二導電通孔的頂表面，所述第二導電通孔與所述線狀金屬層之間彼此電絕緣。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二導電通孔連接至所述核心電路。

5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述開口位于所述線狀金屬層的上部，其暴露所述線狀金屬層的第二端的上表面。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，還包括在所述鈍化層上形成重布線層的步驟，所述重布線層連接一端與所述核心電路形成導電連接，另一端延伸至所述開口。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述核心電路包括用于檢測所述梳狀頂部金屬層電阻的檢測模塊；用于存儲最初檢測結果的非易失性存儲器；用于比較工作時所述梳狀頂部金屬層電阻與所述最初檢測結果的比較模塊。

8.一種半導體器件，其特征在于，所述器件包括：

包含核心電路的襯底，形成于所述襯底上的梳狀頂部金屬層，所述梳狀頂部金屬層與核心電路之間形成有導電連接；

所述梳狀頂部金屬層上形成有鈍化層，所述鈍化層中形成有露出部分所述梳狀頂部金屬層的開口；

所述開口區域涂覆有含有導電顆粒的涂層，所述導電顆粒粒徑大小隨機分布，其中部分粒徑大于所述開口直徑，部分粒徑小于所述開口直徑以使所述導電顆粒隨機填充所述開口。

9.如權利要求8所述的器件，其特征在于，所述梳狀頂部金屬層包括多個并排設置的線狀金屬層，所述線狀金屬層的第一端通過位于所述線狀金屬層下部的第一導電通孔連接至所述核心電路，所述開口露出所述線狀金屬層的第二端。

10.如權利要求9所述的器件，其特征在于，所述開口暴露所述線狀金屬層的端面，在所述開口的下部形成第二導電通孔，所述開口至少露出部分所述第二導電通孔的頂表面，所述第二導電通孔與所述線狀金屬層連接之間彼此電絕緣。

11.如權利要求10所述的器件，其特征在于，所述第二導電通孔連接至所述核心電路。

12.如權利要求9所述的器件，其特征在于，所述開口位于所述線狀金屬層的上部，其暴露所述線狀金屬層的第二端的上表面。

13.如權利要求12所述的器件，其特征在于，還包括在所述鈍化層上形成的重布線層，所述重布線層連接一端與所述核心電路形成有導電連接，另一端延伸至所述開口。

14.如權利要求8所述的器件，其特征在于，所述核心電路包括用于檢測所述梳狀頂部金屬層電阻的檢測模塊；用于存儲最初檢測結果的非易失性存儲器；用于比較工作時所述梳狀頂部金屬層電阻與所述最初檢測結果的比較模塊。