[發明專利]一種V?Cu系偏晶型氫分離合金及其加工方法有效
| 申請號： | 201611048577.5 | 申請日： | 2016-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN106498254B | 公開（公告）日： | 2018-03-30 |
| 發明（設計）人： | 李新中;黃菲菲;梁驍;劉冬梅;陳瑞潤;郭景杰;蘇彥慶 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | C22C27/02 | 分類號： | C22C27/02;C22C1/02;C22F1/18 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所23109 | 代理人： | 楊立超 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cu 系偏晶型氫 分離 合金 及其 加工 方法 | ||
1.一種V-Cu系偏晶型氫分離合金的加工方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1、并精確稱量純V和純Cu，或者精確稱量純V、純Cu和能夠與V形成固溶體的溶質元素金屬，然后對配比的原材料進行熔煉；
步驟2、冷軋：對熔煉好的鑄態母合金錠進行室溫軋制，道次壓下量為0.1-0.25mm，厚度上的總變形量為86-99％；
步驟3、熱處理工藝：對軋制后的板材通過石英管密封后放入熱處理爐中，熱處理溫度控制在650-1000℃，熱處理時間為1-168h；
步驟4、對熱處理后的板材表面進行打磨和拋光，然后在板材試樣正反兩面分別以濺射鍍膜的方式鍍150nm厚的鈀膜，制得實驗所需的氫分離合金膜片；
步驟3所述的熱處理溫度根據氫分離合金的性質和原子百分比而定：
當氫分離合金為V-Cu二元合金時，熱處理溫度為650-800℃；Cu的原子百分比為40％時，熱處理溫度為650℃；Cu的原子百分比為10％時，熱處理溫度為800℃；且Cu的原子百分比越高時對應的熱處理溫度越低；
氫分離合金為三元合金時，熱處理溫度為650-1000℃，將氫分離合金中除去V、Cu兩種元素以外的金屬元素稱為第三組元；
當第三組元金屬為Al時，熱處理溫度為650-680℃，且Cu的原子百分比越高、Al的原子百分比越高時對應的熱處理溫度越低；
當第三組元金屬為Fe、Co、Ni或Pd時，熱處理溫度為650-850℃，且Cu的原子百分比越高、Fe、Co、Ni或Pd的原子百分比越低時對應的熱處理溫度越低；
當第三組元金屬為Cr或Mo時，熱處理溫度為800-1000℃，且Cu的原子百分比越高、Cr或Mo的原子百分比越低時對應的熱處理溫度越低；
氫分離合金為四元及以上合金時，熱處理溫度為650-1000℃，將氫分離合金中除去V、Cu兩種元素以外的金屬元素稱為其他組元；
當其他組元包含Cr、Mo時、且不含有Al、Fe、Co、Ni或Pd時，熱處理溫度為800-1000℃，且Cu的原子百分比越高、Cr、Mo的原子百分比越低時對應的熱處理溫度越低；
當其他組元包含Fe、Co、Ni和/或Pd、且不含有Al時，熱處理溫度為650-850℃，且Cu的原子百分比越高、Fe、Co、Ni和/或Pd的原子百分比越低時對應的熱處理溫度越低；
當其他組元包含Al時，熱處理溫度為650-680℃，且Cu的原子百分比越高、Al的原子百分比越高時對應的熱處理溫度越低。
2.根據權利要求1所述的一種V-Cu系偏晶型氫分離合金的加工方法，其特征在于，步驟3所述的熱處理時間為120-168h。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于哈爾濱工業大學，未經哈爾濱工業大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611048577.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
