[發明專利]一種高深寬比圖形結構的形成方法在審
| 申請號： | 201611048184.4 | 申請日： | 2016-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN106856163A | 公開（公告）日： | 2017-06-16 |
| 發明（設計）人： | 劉鵬;馮奇艷;任昱;朱駿;呂煜坤;張旭升 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吳世華,陳慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高深 圖形 結構 形成 方法 | ||
1.一種高深寬比圖形結構的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S01：提供一半導體襯底，在所述襯底上依次形成介質膜去膠停止層、有機物涂覆層、第一硬掩模層、光刻膠層；
步驟S02：圖形化光刻膠層，并刻蝕打開第一硬掩模層，停止在有機物涂覆層；
步驟S03：在得到的圖形結構表面和側壁形成一層與有機物涂覆層具有高刻蝕選擇比的第二硬掩模層；
步驟S04：采用各向異性刻蝕去除圖形結構表面和底部的第二硬掩模層，保留側壁處的第二硬掩模層；
步驟S05：采用各向異性刻蝕有機物涂覆層，使得到的圖形結構頂部和底部分別停止在第一硬掩模層和介質膜去膠停止層上，形成高深寬比光刻膠形貌；
步驟S06：去除圖形結構頂部的第一、第二硬掩模層。
2.根據權利要求1所述的高深寬比圖形結構的形成方法，其特征在于，所述有機物涂覆層為SOC或者APF。
3.根據權利要求1所述的高深寬比圖形結構的形成方法，其特征在于，步驟S01中，采用低溫化學氣相沉積或者是旋轉噴涂的工藝沉積形成第一硬掩模層。
4.根據權利要求1所述的高深寬比圖形結構的形成方法，其特征在于，步驟S02中，選擇CF系等離子刻蝕工藝刻蝕打開第一硬掩模層，并通過調整條件中的C/F比調節第一硬掩模層形貌，以調節最終的關鍵尺寸。
5.根據權利要求1所述的高深寬比圖形結構的形成方法，其特征在于，步驟S03中，采用原位等離子體工藝或者是單獨的薄膜沉積工藝形成第二硬掩模層。
6.根據權利要求1或5所述的高深寬比圖形結構的形成方法，其特征在于，所述第二硬掩模層為氧化硅、氮化硅、高分子聚合物或者金屬絡合物。
7.根據權利要求5所述的高深寬比圖形結構的形成方法，其特征在于，進行原位等離子體工藝沉積形成第二硬掩模層時，采用的反應氣體為四氯化硅和氧氣的混合氣體。
8.根據權利要求1所述的高深寬比圖形結構的形成方法，其特征在于，步驟S03中，先通過各向異性等離子刻蝕工藝調整得到的圖形結構側壁的高度，并在此過程中將光刻膠層完全消耗去除，然后再形成第二硬掩模層，反應氣體包括氧氣或者二氧化硫。
9.根據權利要求1所述的高深寬比圖形結構的形成方法，其特征在于，步驟S05中，采用等離子刻蝕工藝刻蝕有機物涂覆層，反應氣體包括氧氣或者二氧化硫。
10.根據權利要求1所述的高深寬比圖形結構的形成方法，其特征在于，步驟S06中，采用各向同性等離子刻蝕工藝去除圖形結構頂部的第一、第二硬掩模層，反應氣體包括六氟化硫或者三氟化氮。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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