[發明專利]一種藍寶石襯底的刻蝕方法有效
| 申請號: | 201611046850.0 | 申請日: | 2016-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN108091559B | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發明(設計)人: | 匡錫文 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/3065 | 分類號: | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;羅瑞芝 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 藍寶石 襯底 刻蝕 方法 | ||
1.一種藍寶石襯底的刻蝕方法,包括先后進行的主刻蝕步驟和過刻蝕步驟,其特征在于,所述主刻蝕步驟包括工藝開始時的快速升溫階段,在所述快速升溫階段,將所述藍寶石襯底的背吹冷卻氣體壓力調整到設定壓力范圍內;同時將用于使所述藍寶石襯底產生偏壓的下電極功率調整到設定功率范圍內;以使所述藍寶石襯底的溫度能在設定時間范圍內從初始溫度上升到設定溫度范圍內;從而使所述藍寶石襯底的刻蝕選擇比能達到0.85以上;其中,
所述設定壓力范圍為:2~3T;
所述設定功率范圍為:500~700W;
所述設定溫度范圍為:91~102℃;
所述設定時間范圍為:30s~2min。
2.根據權利要求1所述的藍寶石襯底的刻蝕方法,其特征在于,所述初始溫度的范圍為:20~30℃。
3.根據權利要求1所述的藍寶石襯底的刻蝕方法,其特征在于,在所述主刻蝕步驟的所述快速升溫階段,刻蝕腔室內的工藝壓力范圍為:2~3mT;刻蝕工藝氣體的流量范圍為:60~120sccm;用于使所述刻蝕腔室內的所述刻蝕工藝氣體激發形成等離子體的上電極功率范圍為:1200~1600W。
4.根據權利要求1所述的藍寶石襯底的刻蝕方法,其特征在于,所述主刻蝕步驟還包括所述快速升溫階段結束后的穩定工藝階段,在所述穩定工藝階段,刻蝕腔室內的工藝壓力范圍為:2~3mT;刻蝕工藝氣體的流量范圍為:60~120sccm;用于使所述刻蝕腔室內的所述刻蝕工藝氣體激發形成等離子體的上電極功率范圍為:1200~1600W;所述藍寶石襯底的背吹冷卻氣體壓力范圍為2~3T;所述下電極功率范圍為200W~500W;所述穩定工藝階段的時長范圍為10~20min。
5.根據權利要求1所述的藍寶石襯底的刻蝕方法,其特征在于,在所述過刻蝕步驟中,刻蝕腔室內的工藝壓力范圍為:2~3mT;刻蝕工藝氣體的流量范圍為:60~100sccm;用于使所述刻蝕腔室內的所述刻蝕工藝氣體激發形成等離子體的上電極功率范圍為:1200~1600W;所述藍寶石襯底的背吹冷卻氣體壓力范圍為4~6T;所述下電極功率范圍為600W~700W;所述過刻蝕步驟的時長范圍為15~30min。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





