[發(fā)明專利]3DIC結(jié)構(gòu)及其形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611046804.0 | 申請日： | 2016-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN107134445A | 公開（公告）日： | 2017-09-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳國銘;林永隆;王志揚;陳升照;周正賢 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L23/50;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | dic 結(jié)構(gòu) 及其 形成 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種結(jié)構(gòu)，其包括：
第一電介質(zhì)層，其上覆在第一襯底上；
第一連接墊，其放置在所述第一電介質(zhì)層的頂部表面中且接觸放置在所述第一電介質(zhì)層中的第一導(dǎo)體，所述導(dǎo)體的主要表面在平行于所述第一電介質(zhì)層的所述頂部表面的方向上延伸；
第一虛擬墊，其放置在所述第一電介質(zhì)層的所述頂部表面中，所述第一虛擬墊接觸所述第一導(dǎo)體；
第二電介質(zhì)層，其上覆在第二襯底上；及
第二連接墊及第二虛擬墊，其放置在所述第二電介質(zhì)層的頂部表面中，所述第二連接墊接合到所述第一連接墊，且所述第一虛擬墊以與所述第二虛擬墊偏離的方式定位，使得所述第一虛擬墊與所述第二虛擬墊彼此不接觸。
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