[發明專利]陣列基板的制備方法及顯示面板的制備方法有效
| 申請號: | 201611046765.4 | 申請日: | 2016-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN106783732B | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發明(設計)人: | 王梓軒;王飛;宋博韜 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制備 方法 顯示 面板 | ||
本發明提供一種陣列基板的制備方法和顯示面板的制備方法,屬于顯示技術領域,其可解決現有的平坦化層的干刻工序中不可避免的會損傷到有機膜形貌,造成有機膜的表面粗糙度上升,有機膜層與封框膠的界面因此更容易出現氣泡,導致高溫高壓測試中封框膠松脫的不良發生的問題。本發明的陣列基板的制備方法,包括:在基底上形成有機膜層;形成覆蓋周邊區域的有機膜層的保護層,以及形成位于顯示區域的第一電極;形成平坦化層;形成位于所述顯示區域的第二電極,同時去除位于所述周邊區域的保護層。
技術領域
本發明屬于顯示技術領域,具體涉及一種陣列基板的制備方法和顯示面板的制備方法。
背景技術
薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的彩膜基板和陣列基板通過周邊一圈封框膠粘合在一起,粘合的牢固與否決定了最終產品的信賴性,因此是產品開發時需要重點考慮的要素之一。有機膜層(ORG)是一層厚度約為2um的絕緣薄膜,適用于分辨率(PPI)較高的高級超維場轉換(Advanced Super Dimension Switch,簡稱ADS)顯示面板產品中,作用為降低各個電極之間的寄生電容,從而使得TFT-LCD易于驅動。
實際生產中,應用了有機膜技術的ADS模式的TFT-LCD模組,在高溫壓力鍋測試(Pressure cooker test)中容易出現封框膠松脫的不良,原因是封框膠和陣列基板的界面粘合不牢固。
現有的一種技術采用封框膠與有機膜直接接觸的方式解決粘合問題,因此需挖除整個封框膠區域的平坦化層(PVX),以防止因平坦化層脫落造成的封框膠松脫。此種技術提出的封框膠區域的截面示意圖如圖1所示。然而,這種技術在陣列基板的制程中有一個難以避免的缺陷,平坦化層的干刻工序中不可避免的會損傷到有機膜形貌,造成有機膜的表面粗糙度上升,有機膜層與封框膠的界面因此更容易出現氣泡,導致高溫高壓測試中封框膠松脫的不良發生。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提供一種解決有機膜層與封框膠的界面接觸不平整,導致高溫高壓測試中封框膠松脫的不良發生的陣列基板的制備方法和顯示面板的制備方法。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板的制備方法,所述陣列基板劃分為顯示區域和環繞所述顯示區域的周邊區域,所述制備方法包括:
在基底上形成有機膜層;
形成覆蓋所述周邊區域的有機膜層的保護層,以及形成位于所述顯示區域的第一電極;
形成平坦化層;
形成位于所述顯示區域的第二電極,同時去除位于所述周邊區域的保護層。
優選的是,所述形成覆蓋所述周邊區域的有機膜層的保護層,以及形成位于所述顯示區域的第一電極是采用同一次構圖工藝完成的。
優選的是,所述去除位于所述周邊區域的保護層的步驟包括:
采用濕法刻蝕工藝,去除位于所述周邊區域的保護層。
優選的是,所述在基底上形成有機膜層的步驟之前還包括:
形成薄膜晶體管的各個膜層。
優選的是,所述第一電極和所述第二電極中的一者為像素電極,另一者為公共電極。
優選的是,所述第一電極為板狀電極,所述第二電極為條狀電極;或者,
所述第一電極和所述第二電極均為條狀電極。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種顯示面板的制備方法,其包括上述的陣列基板的制備方法。
優選的是,所述顯示面板的制備方法還包括:提供一對盒基板;
在所述對盒基板或者所述陣列基板的周邊區域形成封框膠;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





