[發明專利]一種超寬光譜光敏材料和應用該光敏材料的光電探測器有效

申請號：	201611046705.2	申請日：	2016-11-23
公開（公告）號：	CN106601837B	公開（公告）日：	2018-06-22
發明（設計）人：	吳東;牛營營	申請（專利權）人：	中山大學
主分類號：	H01L31/0272	分類號：	H01L31/0272;H01L31/0328;H01L31/08;C01B19/00
代理公司：	廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100	代理人：	張玲春
地址：	510275 廣東***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	光敏材料超寬光譜光電探測器感光單元超寬波段光電轉換碲化物光電探測器結構工作溫度區間晶體生長技術大規模集成薄膜制備金屬電極制備材料制作方便光探測探測器制備應用覆蓋
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【權利要求書】：

1.一種超寬光譜光敏材料，其特征在于：所述光敏材料包括有Eu-Sb-Te三元碲化物晶體或者Eu-Bi-Te三元碲化物晶體；所述Eu-Sb-Te三元碲化物晶體的組分為EuSb_x1Te_y1，x1的取值范圍為0.7～1，y1的取值范圍為2.9～3.3；所述Eu-Sb-Te三元碲化物晶體、所述Eu-Bi-Te三元碲化物晶體的晶系結構均屬于正交晶系，空間群均為Pmmn；所述Eu-Bi-Te三元碲化物晶體的組分為EuBi_x2Te_y2，x2的取值范圍為0.7～1，y2的取值范圍為2.9～3.3。

2.根據權利要求1所述的超寬光譜光敏材料，其特征在于：x1的取值范圍為0.75～0.85，y1的取值范圍為3.1～3.25。

3.根據權利要求1所述的超寬光譜光敏材料，其特征在于：x2的取值范圍為0.75～0.85，y2的取值范圍為3.1～3.25。

4.一種光電探測器，其特征在于：

包括有可光電轉換的感光單元，所述感光單元的兩端均設有金屬電極，所述感光單元的制備材料包括權利要求1～3中任一項所述的超寬光譜光敏材料。

5.根據權利要求4所述的光電探測器，其特征在于：所述金屬電極的材料為金、銀、鉑、銦、鎘、錫的一種或幾種組合；所述金屬電極通過鍍膜工藝蒸鍍或濺射工藝設置于所述感光單元上。

6.根據權利要求4所述的光電探測器，其特征在于：還包括有絕緣襯底，所述絕緣襯底的厚度≤5mm，所述感光單元設于所述絕緣襯底上；所述絕緣襯底的材質包括有硅、石英、藍寶石或者碳化硅。

7.根據權利要求4～6中任一項所述的光電探測器，其特征在于：所述光電探測器包括有單一所述感光單元；或者，所述光電探測器包括有由多個所述感光單元組成的焦平面陣列。

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