[發(fā)明專利]一種在電磁耦合場作用下制備硅納米結(jié)構(gòu)的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611046617.2 | 申請日： | 2016-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN106744670B | 公開（公告）日： | 2019-01-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 巣炎;劉先歡;姚安琦;王志權(quán) | 申請（專利權(quán)）人： | 杭州電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | B82B3/00 | 分類號： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州千克知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅納米結(jié)構(gòu) 制備 反應(yīng)釜 磁場發(fā)生裝置 電場發(fā)生裝置 蝕刻溶液 硅片 硅表面加工 太陽能電池 貴金屬 浸入 電磁耦合 腐蝕方向 可重復(fù)性 納米結(jié)構(gòu) 黏性阻力 硅表面 可控性 傳感器 光電子 晶向 置入 微電子 加工 應(yīng)用 生產(chǎn) | ||
1.一種在電磁耦合場作用下制備硅納米結(jié)構(gòu)的方法，其特征是按如下步驟：
步驟一，對硅片進(jìn)行貴金屬涂層；
步驟二，制備硅納米結(jié)構(gòu)：一反應(yīng)釜中盛入蝕刻溶液，反應(yīng)釜設(shè)置電場發(fā)生裝置以及磁場發(fā)生裝置；步驟一的硅片置入反應(yīng)釜且浸入所述的蝕刻溶液，先啟動電場發(fā)生裝置，后啟動磁場發(fā)生裝置，反應(yīng)設(shè)定時間后，制得硅納米結(jié)構(gòu)；
所述的反應(yīng)釜包括筒狀鐵芯，鐵芯具有內(nèi)部容納區(qū)，鐵芯的外壁纏繞有漆包線圈，形成所述的磁場發(fā)生裝置。
2.如權(quán)利要求1所述在電磁耦合場作用下制備硅納米結(jié)構(gòu)的方法，其特征是：待步驟一的反應(yīng)結(jié)束后，用去離子水沖洗以去除表面的殘液。
3.如權(quán)利要求1所述在電磁耦合場作用下制備硅納米結(jié)構(gòu)的方法，其特征是：在10～30℃下，啟動電場發(fā)生裝置，其中，電場發(fā)生裝置采用直流電，電流大小為0～30mA；和/或，磁場發(fā)生裝置采用直流電源，電流大小為0～100mA。
4.如權(quán)利要求1所述在電磁耦合場作用下制備硅納米結(jié)構(gòu)的方法，其特征是：所述的反應(yīng)釜內(nèi)壁安裝有對稱的兩石墨電極，兩塊石墨電極的相對面相平行，形成所述的電場發(fā)生裝置。
5.如權(quán)利要求1或3所述在電磁耦合場作用下制備硅納米結(jié)構(gòu)的方法，其特征是：步驟二的反應(yīng)時間為10～90min，反應(yīng)結(jié)束后，取出硅片并用去離子水沖洗。
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