[發(fā)明專利]一種大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦衰減片及其生產(chǎn)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611045617.0
• 申請日: 2016-11-24
• 公開（公告）號: CN106711560B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳建良
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州市新誠氏通訊電子股份有限公司
• 主分類號: H01P1/22
• 分類號: H01P1/22
• 代理公司: 上海諾衣知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31298
• 代理人: 衣然

本發(fā)明公開了一種大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦衰減片，阻抗?jié)M足50±1.5Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度可達(dá)到30±0.6dB以內(nèi)，駐波要求在3G頻段輸入端為1.2以內(nèi)，輸出端為1.25以內(nèi)，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的大功率氮化鋁陶瓷基板衰減片，并且本發(fā)明還進一步提供了一種高效生產(chǎn)高質(zhì)量產(chǎn)品的方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉一種大功率氮化鋁陶瓷基板衰減片，特別涉及一種大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦的衰減片及其生產(chǎn)方法。

背景技術(shù)

目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對基站的工作狀況做實時的監(jiān)控，當(dāng)基站工作發(fā)生故障時無法及時地作出判斷，對設(shè)備沒有有保護作用。而衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號，對基站進行實時監(jiān)控,從而對設(shè)備形成有效保護。

衰減片作為一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說其應(yīng)與兩端電路都是匹配的。目前國內(nèi)100W-30dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到1G頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制，輸出端得到的信號不符合實際要求。特別是在衰減片使用頻段高于2G時,其衰減精度往往達(dá)不到要求，回波損耗變大，滿足不了2G以上的頻段應(yīng)用要求。為了滿足3G即以上頻段衰減片的需求，現(xiàn)有技術(shù)CN201110205641公開了一種100W-30dB的氮化鋁陶瓷衰減片，雖然能夠滿足3G網(wǎng)絡(luò)的需求，但是由于其電阻結(jié)構(gòu)設(shè)計不合理，其衰減精度只能達(dá)到30dB±1，無法適應(yīng)現(xiàn)階段3G頻段中對衰減片具有高精度衰減的需求，同時根本無法滿足到現(xiàn)有的4G網(wǎng)絡(luò)和5G網(wǎng)絡(luò)的需求，因此，目前國內(nèi)3G頻段以上的網(wǎng)絡(luò)中所用到的衰減精度達(dá)到100瓦30dB±0.5以上的衰減片主要還是依靠進口的產(chǎn)品，同時現(xiàn)有技術(shù)中缺乏對于精度更高的150瓦30dB的衰減片有效的生產(chǎn)方法，導(dǎo)致整體生產(chǎn)產(chǎn)品的次品率和使用壽命存在明顯的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻抗?jié)M足50±1.5Ω，在3G頻段內(nèi)衰減精度為可達(dá)30±0.6dB以內(nèi)，最佳衰減精度可達(dá)30±0.1dB，駐波要求在3G頻段輸入端為1.2以內(nèi)，輸出端為1.25以內(nèi)，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的大功率氮化鋁陶瓷基板衰減片。

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的第一目的在于提供一種高精度大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦衰減片，其特征在于：包括一8.9*5.7*1mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及電阻，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述衰減電路的包含5個電阻R1、R2、R3、R4和R5，在輸入端電阻R1、R2并聯(lián)，輸出端電阻R4、R5并聯(lián)，其中輸入端的電阻大小相等，輸出端的電阻大小相等，輸入端電阻面積大于輸出端電阻面積，電阻R3再分別與輸入端和輸出端的電路串并聯(lián)，并且設(shè)置在輸入端和輸出端的電阻之間同時豎直排列于基板上焊盤中央，所述電阻上印刷有玻璃保護膜，所述玻璃保護膜及導(dǎo)線上印刷有第一黑色保護膜，所述第一黑色保護膜上印刷有一層介質(zhì)層，所述介質(zhì)層結(jié)構(gòu)上有兩個豎直對稱分布R3兩側(cè)的對稱長方形凸起，所述介質(zhì)層上印刷有第二黑色保護膜，所述衰減片的衰減精度為30±0.6dB以內(nèi)。

所述的大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦衰減片，優(yōu)選的，所述介質(zhì)層上印刷有第二黑色保護膜；所述介質(zhì)層的銀漿漿料由如下重量份的組分組成，銀鉻金屬粉80-85重量份，玻璃粉8-10重量份，有機載體15-18重量份，三者重量份之和為100。

所述的大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦衰減片，優(yōu)選的，所述輸入端電阻面積設(shè)置為最大值，輸出端電阻設(shè)置為最小值；所述銀漿漿料的銀鉻金屬粉中銀粉占85-90重量份，鉻粉占10-15重量份，所述衰減片的衰減精度為30±0.3dB以內(nèi)。

所述的大功率氮化鋁陶瓷基板100瓦衰減片，優(yōu)選的，所述背導(dǎo)層、導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。