[發明專利]用于集成電路和太陽能電池的燒結多層堆疊

有效

• 申請號: 201611045541.1
• 申請日: 2016-11-24
• 公開（公告）號: CN107017311B
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 布萊恩·E·哈丁;艾瑞克·索爾;迪埃·蘇賽諾;杰西·J·欣李奇;黃鈺淳;林于唐;史蒂芬·T·康納;丹尼爾·J·赫爾布什;克雷格·H·彼得斯
• 申請（專利權）人: 日立化成株式會社
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/05
• 代理公司: 深圳市中聯專利代理有限公司 44274
• 代理人: 王怡瑾;郭翠霞

1.一種燒結多層堆疊，包括：

具有基層表面的基層；

基層表面至少一部分上的金屬粒子層，金屬粒子層包括金屬粒子；

基層表面至少一部分上的改良金屬粒子層；以及

直接在改良金屬粒子層的至少一部分上的改良插層，改良插層具有可軟焊表面，改良插層包括兩個子層：

直接在改良金屬粒子層的至少一部分上的子插層；及

直接在子插層的至少一部分上的貴金屬子層；

其中，可軟焊表面包括貴金屬子層；

其中，改良金屬粒子層包括金屬粒子和來自子插層的至少一種材料；以及

其中，子插層包括從下組選擇的材料，包含：銻、砷、鋇、鉍、硼、鎘、鈣、鈰、銫、鉻、鈷、鎵、鍺、鉿、銦、鐵、鑭、鉛、鋰、鎂、錳、鉬、鈮、磷、鉀、錸、硒、硅、鈉、鍶、硫、碲、錫、釩、鋅、鋯，其氧化物，及其組合。

2.如權利要求1所述的燒結多層堆疊，其中，改良插層包括貴金屬和從下組選擇的材料，包含：鉍、硼、銦、鉛、硅、碲、錫、釩、鋅，其氧化物，及其組合。

3.如權利要求1所述的燒結多層堆疊，其中：

改良金屬粒子層包括鋁粒子且是改良鋁粒子層；

子插層包括直接在所述改良鋁粒子層上的富鉍子層；及

貴金屬子層包括直接在富鉍子層上的富銀子層；

其中，可軟焊表面包括富銀子層；

其中，改良金屬粒子層進一步包括從下組選擇的至少一種材料，包含：鋁氧化物，鉍，和鉍氧化物。

4.如權利要求1所述的燒結多層堆疊，進一步包括：至少一個介質層，其直接在基層表面的至少一部分上，其中，介質層包括從下組選擇的材料，包含：硅、鋁、鍺、鉿、鎵，其氧化物、其氮化物、及其組合。

5.如權利要求1所述的燒結多層堆疊，進一步包括：第一介質層，其包括直接在基層表面的至少一部分上的氧化鋁，以及第二介質層，其包括直接在第一介質層上的氮化硅。

6.如權利要求1所述的燒結多層堆疊，進一步包括：直接在改良插層的可軟焊表面的至少一部分上的標志帶。

7.如權利要求1所述的燒結多層堆疊，進一步包括：直接在基層表面上的固體復合層；其中，固體復合層包括從下組選擇的一種或多種金屬，包含：鋁、銅、鐵、鎳、鉬、鎢、鉭、鈦，以及從下組選擇的一種或多種材料，包含：硅，氧，碳，鍺，鎵，砷，氮，銦和磷。

8.如權利要求1所述的燒結多層堆疊，其中，相鄰基層表面的基層一部分摻雜有從下組選擇的材料，包含：鋁、銅、鐵、鎳、鉬、鎢、鉭、鈦、鋼及其組合。

9.如權利要求1所述的燒結多層堆疊，其中，燒結多層堆疊的一部分具有可變厚度。

10.如權利要求1所述的燒結多層堆疊，其中，燒結多層堆疊的一部分具有大于12μm的平均峰至谷高度。

11.如權利要求1所述的燒結多層堆疊，其中，基層包括從下組選擇的至少一種材料，包含：硅、二氧化硅、碳化硅、氧化鋁、藍寶石、鍺、砷化鎵、氮化鎵和磷化銦。

12.如權利要求1所述的燒結多層堆疊，其中，金屬粒子層包括從下組選擇的材料，包含：鋁、銅、鐵、鎳、鉬、鎢、鉭、鈦、鋼，及其組合。

13.如權利要求1所述的燒結多層堆疊，其中，貴金屬包括從下組選擇的材料，包含：銀、金、鉑、鈀、銠，及其組合。

14.如權利要求1所述的燒結多層堆疊，其中，基層包括從下組選擇的材料，包含：鋁、銅、鐵、鎳、鈦、鋼、鋅，及其組合。

15.如權利要求1所述的燒結多層堆疊，其中，金屬粒子層具有0.5μm至100μm之間的厚度。