[發明專利]顯示裝置的制造方法和成膜裝置有效
| 申請號: | 201611043533.3 | 申請日: | 2016-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN107046049B | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發明(設計)人: | 小野敬亮 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;C23C14/04;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 邸萬杰;徐飛躍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 裝置 | ||
本發明提供設置于顯示裝置的電極的制造方法以及含有該電極的顯示裝置的制造方法。或者提供具有應用該制造方法的電極的顯示元件和顯示裝置。本發明的顯示裝置的制造方法包括下述工序:在基板上形成第一電極;在第一電極上形成有機層;通過使包括具有透光性的導電性氧化物的靶發生濺射而在有機層上形成第二電極,在形成第二電極時,在有機層與靶之間設置掩模,掩模具有周期性排列的最大寬度為0.1μm以上3μm以下的貫通孔。
技術領域
本發明涉及電極的制造方法和具有由該制造方法形成的電極的顯示裝置。例如涉及包括具有透光性的導電性氧化物的電極的制造方法和具有由該制造方法形成的電極的顯示裝置。
背景技術
作為顯示裝置的代表例,能夠舉出在各像素具有液晶元件、發光元件的液晶顯示裝置、EL(electroluminescence,電致發光)顯示裝置等。這些顯示裝置在形成在基板上的多個像素內的各個中具有液晶元件或發光元件等顯示元件。液晶元件、發光元件具有一對電極,一對電極中的至少一方使可見光透過。例如發光元件具有含有發光性的有機化合物的層(以下稱為有機層)被一對電極夾著的構造,以一對電極中的至少一個使可見光透過的方式設計。
作為使可見光透過的電極(以下稱為透光性電極)的代表性材料能夠舉出銦-錫氧化物(ITO)、銦-鋅氧化物(IZO)。在日本特開2008-84541號公報中,公開了將由濺射法形成將ITO膜、IZO膜用作透光性電極的EL顯示裝置。
發明內容
本發明的一實施方式是顯示裝置的制造方法。該制造方法包括下述步驟:在基板上形成第一電極的步驟;在第一電極上形成有機層的步驟;和通過使包含具有透光性的導電性氧化物的靶發生濺射而在有機層上形成第二電極的步驟。在第二電極形成時,在有機層與靶之間設置掩模,掩模周期性排列的具有最大寬度為0.1μm以上3μm以下的貫通孔。
本發明的一實施方式是顯示裝置的制造方法。該制造方法包括下述步驟:在基板上形成第一電極的步驟;在第一電極上形成有機層的步驟;在有機層上設置具有周期性排列的貫通孔的掩模的步驟;和通過使包含具有透光性的導電性氧化物的靶發生濺射而在有機層上形成第二電極的步驟。貫通孔的最大面積小于有機層和第一電極接觸的面積。
本發明的一實施方式是成膜裝置,其包括:腔室;位于腔室內的保持靶的保持件;位于腔室內且位于保持件之下的支承基板的工作臺;在腔室內引起放電的電源;向腔室供給氣體的氣體供給部;和保持具有周期性配置的多個貫通孔的掩模,設置于基板與靶間的掩模保持件。
附圖說明
圖1是表示用于制作一實施方式的顯示裝置的裝置的截面示意圖。
圖2A至圖2D是表示一實施方式的顯示元件的制造方法的示意圖。
圖3A、圖3B是表示一實施方式的顯示元件的制造方法的示意圖。
圖4A、圖4B是在一實施方式的顯示元件的制作時使用的掩模的俯視圖和截面圖。
圖5A、圖5B是在一實施方式的顯示元件的制作時使用的掩模的俯視圖和截面圖。
圖6A、圖6B是在一實施方式的顯示元件的制作時使用的掩模的俯視圖和截面圖。
圖7A、圖7B是在一實施方式的顯示元件的制作時使用的掩模的俯視圖和截面圖。
圖8A、圖8B是表示一實施方式的顯示元件的制造方法的示意圖。
圖9是一實施方式的顯示裝置的俯視示意圖。
圖10是一實施方式的顯示裝置的截面示意圖。
圖11是表示一實施方式的顯示裝置的制造方法的示意圖。
附圖標記說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





