[發明專利]熒光體、波長轉換元件、光源裝置和投影儀在審
| 申請號: | 201611043505.1 | 申請日: | 2016-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN106896632A | 公開(公告)日: | 2017-06-27 |
| 發明(設計)人: | 池末明生;遠藤隆史 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | G03B21/20 | 分類號: | G03B21/20 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司11127 | 代理人: | 龐東成,褚瑤楊 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熒光 波長 轉換 元件 光源 裝置 投影儀 | ||
1.一種熒光體,其為由陶瓷材料的燒結體構成的熒光體,
所述燒結體含有作為主相的Ce:Y3Al5O12和作為副相的陶瓷材料,所述陶瓷材料的折射率與該主相不同,
所述燒結體具有晶界,并且在該晶界具有氣孔。
2.如權利要求1所述的熒光體,其中,所述副相含有Ce:YAlO3、CeO2、Y2O3或Ce:Y2O3作為第1晶粒。
3.如權利要求2所述的熒光體,其中,所述副相進一步具備與所述第1晶粒不同的第2晶粒,含有Ce:YAlO3、CeO2、Y2O3或Ce:Y2O3作為該第2晶粒。
4.如權利要求2或3所述的熒光體,其中,所述副相含有Ce:YAlO3、CeO2或Ce:Y2O3,
所述燒結體中的釔的原子濃度[Y]滿足下述要點(i)和(ii),[Y]的單位為原子%,
(i)0.6<[Y]
(ii)0.6<[Re]/[Al]≤0.652
其中,[Re]是釔的原子濃度與鈰的原子濃度之和,[Al]是鋁的原子濃度。
5.如權利要求1至4中任一項所述的熒光體,其中,所述主相圍繞在所述副相的周圍。
6.如權利要求1至5中任一項所述的熒光體,其中,所述氣孔為鱗片狀。
7.如權利要求1至6中任一項所述的熒光體,其中,構成所述主相的晶粒和構成所述副相的晶粒為粒狀。
8.如權利要求1至7中任一項所述的熒光體,其中,所述主相的體積相對于所述主相與所述副相的總體積量的比例為90體積%以上且小于100體積%。
9.一種波長轉換元件,其具有將權利要求1至8中任一項所述的熒光體作為形成材料的熒光體層。
10.一種光源裝置,其具有權利要求9所述的波長轉換元件、和
對所述波長轉換元件具有的所述熒光體層照射激發光的光源。
11.一種投影儀,其具有:
權利要求10所述的光源裝置、
光調制裝置,該光調制裝置根據圖像信息對來自所述光源裝置的光進行調制,從而形成圖像光、和
投影光學系統,該投影光學系統對所述圖像光進行投影。
12.一種波長轉換元件,其為具有熒光體層、設置在該熒光體層表面的光學功能層的波長轉換元件,
所述熒光體層由燒結體構成,所述燒結體含有作為第1微晶的陶瓷熒光材料和作為第2微晶的陶瓷材料,所述第2微晶的折射率與該第1微晶不同,
所述燒結體具有晶界,并且在該晶界具有氣孔。
13.如權利要求12所述的波長轉換元件,其中,所述第1微晶含有Ce:Y3Al5O12,
所述第2微晶含有Ce:YAlO3、CeO2、Y2O3、Ce:Y2O3或YAlO3。
14.如權利要求12或13所述的波長轉換元件,其中,所述光學功能層為防反射膜。
15.如權利要求12或13所述的波長轉換元件,其中,所述光學功能層為二向色膜。
16.如權利要求12或13所述的波長轉換元件,其中,所述光學功能層為反射膜。
17.如權利要求12至16中任一項所述的波長轉換元件,其中,所述熒光體層進一步含有與所述第2微晶不同的陶瓷材料作為第3微晶,
所述第3微晶的折射率與所述第1微晶的折射率不同。
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