[發(fā)明專利]TCO/p/i/TCO玻璃結(jié)構(gòu)的透明硅薄膜太陽能電池及其制備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611042334.0 | 申請日： | 2016-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN108110070B | 公開（公告）日： | 2019-12-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉生忠;杜敏永;王輝;曹越先;張豆豆;秦煒 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/0445 | 分類號： | H01L31/0445;H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 21002 沈陽科苑專利商標代理有限公司 | 代理人： | 馬馳 |
| 地址： | 116023 遼寧省*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 透明硅 基薄膜 太陽能電池 摻雜層 沉積 制備 本征硅薄膜層 透明薄膜太陽能電池 薄膜太陽能電池 太陽能電池技術(shù) 太陽能電池結(jié)構(gòu) 玻璃結(jié)構(gòu) 電池制備 工藝環(huán)節(jié) 內(nèi)建電場 導(dǎo)電層 透光度 產(chǎn)能 生產(chǎn)成本 電池 節(jié)約 生產(chǎn) | ||
1.一種TCO/p/i/TCO玻璃結(jié)構(gòu)的透明硅基薄膜太陽能電池，其特征在于：
TCO/p/i/TCO玻璃結(jié)構(gòu)的透明硅基薄膜太陽能電池的結(jié)構(gòu)從下至上包括依次層疊的：TCO玻璃（1）、本征硅薄膜層（2）、p型硅薄膜摻雜層（3）、TCO薄膜導(dǎo)電層（4）；
TCO玻璃（1）取代傳統(tǒng)pin型硅薄膜太陽能電池中的n層，TCO玻璃（1）與p層及i層構(gòu)成太陽能電池。
2.按照權(quán)利要求1所述的電池，其特征在于，制備的硅基薄膜太陽能電池具有半透明的特性。
3.按照權(quán)利要求1所述的電池，其特征在于：TCO玻璃（1）中的TCO包括但不僅限于FTO、AZO、BZO、ITO、GZO或YZO。
4.按照權(quán)利要求1所述的電池，其特征在于：TCO薄膜導(dǎo)電層（4）中的TCO包括但不僅限于FTO、AZO、BZO、ITO、GZO或YZO。
5.按照權(quán)利要求1所述的電池，其特征在于：本征硅薄膜層（2）采用的材料為本征的非晶硅薄膜。
6.按照權(quán)利要求1所述的電池，其特征在于：p型硅薄膜摻雜層（3）采用的材料為摻硼的非晶硅薄膜。
7.一種權(quán)利要求1－4任一所述的TCO/p/i/TCO玻璃結(jié)構(gòu)的透明硅基薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于：TCO玻璃（1）和TCO薄膜導(dǎo)電層（4）中的TCO制備方法，包括但不限于濺射、化學(xué)氣相沉積或其他方法。
8.按照權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于：本征硅薄膜層（2）和p型硅薄膜摻雜層（3）的制備方法，包括但不限于化學(xué)氣相沉積或其他方法。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
