[發明專利]觸發可控硅控制單元和控制方法

在審

• 申請號: 201611041953.8
• 申請日: 2016-11-24
• 公開（公告）號: CN106655723A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 張貴德;謝祥偉;戴迪;成川;羅俊;鄭華;劉潯;黃瑤玲;吳萍;王麗麗;韓旭鵬
• 申請（專利權）人: 國家電網公司;國網湖北省電力公司檢修公司;北京西能達科技有限公司
• 主分類號: H02M1/06
• 分類號: H02M1/06
• 代理公司: 武漢開元知識產權代理有限公司42104
• 代理人: 潘杰,李滿

1.一種觸發可控硅控制單元，其特征在于：它包括處理器(1)、可控硅激光發射裝置(2)、可控硅激光接收裝置(3)和可控硅參數采集接口(4)，其中，處理器(1)的可控硅觸發信號輸出端連接可控硅激光發射裝置(2)的信號輸入端，處理器(1)的可控硅觸發狀態信號輸入端連接可控硅激光接收裝置(3)的信號輸出端，處理器(1)的可控硅基本參數數據輸入端連接可控硅參數采集接口(4)的一端；

所述可控硅激光發射裝置(2)的激光信號輸出端連接可控硅控制單元(6)的可控硅激光觸發信號輸入端，可控硅數據采集裝置(5)的可控硅基本參數數據輸出端連接可控硅參數采集接口(4)的另一端；

所述處理器(1)用于通過可控硅數據采集裝置(5)采集可控硅正反重復峰值電壓參數、可控硅回路阻抗和可控硅短路電流；

所述處理器(1)還用于通過可控硅激光發射裝置(2)向可控硅控制單元(6)發送可控硅激光觸發信號；

所述處理器(1)還用于通過可控硅激光接收裝置(3)接收可控硅控制單元(6)反饋的可控硅是否觸發成功的反饋信息。

2.根據權利要求1所述的觸發可控硅控制單元，其特征在于：所述可控硅激光發射裝置(2)包括電阻R1～電阻R6、鉭電容C1、激光發射二極管L2、MOS管Q1，其中，鉭電容C1的正極、電阻R1的一端、電阻R2的一端、電阻R3的一端和電阻R4的一端均連接電源，鉭電容C1的負極接地GND，電阻R1的另一端、電阻R2的另一端、電阻R3的另一端和電阻R4的另一端連接激光發射二極管L2的正極，激光發射二極管L2的負極連接MOS管Q1的源極S，MOS管Q1的漏極D接地GND，處理器(1)的可控硅觸發信號輸出端連接電阻R5的一端，電阻R5的另一端連接MOS管Q1的柵極G，電阻R6的一端連接MOS管Q1的柵極G，電阻R6的另一端連接MOS管Q1的漏極D，激光發射二極管L2發射的激光信號進入可控硅控制單元(6)可控硅激光觸發信號輸入端。

3.根據權利要求1所述的觸發可控硅控制單元，其特征在于：所述可控硅激光接收裝置(3)包括電阻R7～電阻R9，激光接收二極管L1和MOS管Q2，其中，電阻R7的一端連接電源，電阻R7的另一端連接激光接收二極管L1的負極，激光接收二極管L1的正極接地GND，電阻R8的一端連接激光接收二極管L1的負極，電阻R8的另一端連接MOS管Q2的柵極G，電阻R9的一端連接電源，電阻R9的另一端連接MOS管Q2的漏極D，MOS管Q2的源極S連接激光接收二極管L1的正極，MOS管Q2的漏極D連接處理器(1)的可控硅觸發狀態信號輸入端，可控硅控制單元(6)的可控硅是否觸發成功的反饋信息光信號輸出端通過激光轉接頭連接激光接收二極管L1。

4.根據權利要求1所述的觸發可控硅控制單元，其特征在于：所述可控硅激光發射裝置(2)發射的可控硅激光觸發信號的激光頻率為10kHZ，占空比為0.05。

5.根據權利要求1所述的觸發可控硅控制單元，其特征在于：所述處理器(1)的顯示信號輸出端還連接有顯示器(7)。

6.根據權利要求1所述的觸發可控硅控制單元，其特征在于：所述可控硅參數采集接口(4)為通信串口。

7.一種權利要求1所述觸發可控硅控制單元的控制方法，其特征在于，它包括如下步驟：

步驟1：處理器(1)通過可控硅激光發射裝置(2)向可控硅控制單元(6)發射穩頻的可控硅激光觸發信號；

步驟2：可控硅控制單元(6)將接收到的可控硅激光觸發信號進行放大以及邏輯處理然后觸發可控硅；

步驟3：可控硅控制單元(6)對可控硅是否觸發成功進行判斷，并將可控硅是否觸發成功的反饋信息反饋給處理器(1)；

步驟4：當處理器(1)得到可控硅已經成功觸發的反饋后，處理器(1)通過可控硅參數采集接口(4)采集可控硅的可控硅正反重復峰值電壓參數、可控硅回路阻抗和可控硅短路電流。

8.根據權利要求7所述的觸發可控硅控制單元的控制方法，其特征在于：所述步驟4后還包括步驟5：處理器(1)將采集到的可控硅正反重復峰值電壓參數、可控硅回路阻抗和可控硅短路電流通過顯示器(7)進行顯示。