[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611040818.1
• 申請日: 2016-11-11
• 公開（公告）號: CN106847795B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭柄銖;閔臺洪;李仁榮;趙泰濟(jì)
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);韓明花

1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：

第一半導(dǎo)體芯片，包括彼此相對的第一表面和第二表面；

第一不均勻圖案，形成在第一半導(dǎo)體芯片的第一表面處；

第二半導(dǎo)體芯片，安裝在第一半導(dǎo)體芯片的第一表面上；以及

固定膜，形成在第一半導(dǎo)體芯片的第一表面上且在第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片之間延伸，

其中，第二半導(dǎo)體芯片在豎直方向上與第一不均勻圖案的至少一部分疊置，

第一半導(dǎo)體芯片的第一表面包括第一角和第二角，

第一不均勻圖案包括形成在第一半導(dǎo)體芯片內(nèi)的凹槽結(jié)構(gòu)，

凹槽結(jié)構(gòu)包括第一徑向凹槽和第二徑向凹槽，第一徑向凹槽和第二徑向凹槽徑向地形成在第一半導(dǎo)體芯片的第一表面中，并且分別從第一半導(dǎo)體芯片的第一表面的中心區(qū)域朝向第一角和第二角延伸，

第一徑向凹槽和第二徑向凹槽在第一表面的中心區(qū)域處彼此分離，

固定膜填充形成在不包括絕緣材料的第一半導(dǎo)體芯片的第一表面中的凹槽結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一半導(dǎo)體芯片的第一表面還包括連接第一角和第二角的邊，

凹槽結(jié)構(gòu)還包括平行凹槽，

平行凹槽沿第一半導(dǎo)體芯片的第一表面的邊在第一徑向凹槽與第二徑向凹槽之間延伸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一徑向凹槽、第二徑向凹槽和平行凹槽彼此連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，平行凹槽包括長側(cè)壁和短側(cè)壁，

平行凹槽的長側(cè)壁沿第一半導(dǎo)體芯片的第一表面的邊延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一半導(dǎo)體芯片的第一表面包括連接的第一邊和第二邊，

凹槽結(jié)構(gòu)包括沿第一邊形成的第一凹槽和沿第二邊形成的第二凹槽，

第一凹槽和第二凹槽中的每個(gè)包括長側(cè)壁和短側(cè)壁，

第一凹槽的長側(cè)壁沿第一邊延伸，第二凹槽的長側(cè)壁沿第二邊延伸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一徑向凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，

第一凹槽和第二凹槽之間的距離隨距第一角的距離增大而增大。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一不均勻圖案包括從第一半導(dǎo)體芯片的第一表面突出的突出結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一半導(dǎo)體芯片的第一表面包括連接到第二邊的第一邊，

突出結(jié)構(gòu)包括沿第一邊延伸的第一突出圖案和沿第二邊延伸的第二突出圖案，

第一突出圖案和第二突出圖案中的每個(gè)包括長側(cè)壁和短側(cè)壁，

第一突出圖案的長側(cè)壁沿第一邊延伸，第二突出圖案的長側(cè)壁沿第二邊延伸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一突出圖案和第二突出圖案彼此不連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一半導(dǎo)體芯片包括硅通孔。