[發明專利]一種波長可調的熒光涂層及其制備方法和應用有效
| 申請號: | 201611040248.6 | 申請日: | 2016-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN106756825B | 公開(公告)日: | 2019-06-25 |
| 發明(設計)人: | 李東升;劉國華;楊德仁 | 申請(專利權)人: | 浙江大學 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C23C14/14;C09K11/59 |
| 代理公司: | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡紅娟 |
| 地址: | 310013 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熒光涂層 制備方法和應用 波長可調 摻硼 熒光粉 光電子器件領域 發明制備工藝 磁控濺射法 發光色彩 發光中心 熒光波長 最大發射 兼容性 富硅 硅靶 硼靶 引入 應用 | ||
1.一種波長可調的熒光涂層在熒光粉以及硅基光電子器件中的應用,其特征在于,所述熒光涂層的制備方法包括如下步驟:
(1)清洗襯底,襯底清洗后加熱至450~600℃;
(2)在真空度為1×10-5~1×10-2Pa下,通入高純Ar和高純O2混合氣體,利用射頻濺射對硅靶和硼靶進行反應共濺射,在襯底上沉積薄膜;
(3)惰性氣氛下,對步驟(2)得到的薄膜進行熱處理,即得到摻硼的熒光涂層;
所述熒光涂層的硼含量為1~15.1at.%;所述熒光涂層在激發下會產生650nm~410nm的熒光,最大發射熒光波長隨硼含量的變化而變化;
步驟(2)中共濺射時,硅靶的濺射功率為120~150W,硼靶的濺射功率為30~120W,濺射腔室的壓強為1Pa。
2.根據權利要求1所述的應用,其特征在于,所述熒光涂層的硼含量為1.5~4.5at.%時,在325nm激發波長下,所述熒光涂層的最大發射波長隨硼含量的增加從650nm逐漸移動到410nm。
3.根據權利要求1所述的應用,其特征在于,所所述熒光涂層的硼含量為2.17~3.58at.%時,在325nm激發波長下,所述熒光涂層的最大發射波長隨硼含量的增加從520nm逐漸移動到459nm。
4.根據權利要求1所述的應用,其特征在于,步驟(2)中高純Ar和高純O2混合氣體中高純O2的質量百分含量為0.01%~10%。
5.根據權利要求1所述的應用,其特征在于,步驟(3)中熱處理的條件為:在600~1200℃下熱處理0~6小時。
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