[發(fā)明專利]一種光電功能材料及其應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611039255.4 | 申請日： | 2016-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN106588956B | 公開（公告）日： | 2018-06-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王金斌;李小磊;韓宏偉;鐘向麗 | 申請（專利權(quán)）人： | 湘潭大學 |
| 主分類號： | C07F1/08 | 分類號： | C07F1/08;C07F15/03;C07F15/04;C07F15/06;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 宋靜娜;郝傳鑫 |
| 地址： | 411100 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光電功能材料 太陽能電池 光吸收層 太陽能電池制備 光電轉(zhuǎn)化效率 電子傳輸層 空穴傳輸層 人類及動物 苯胺離子 光學吸收 吡啶離子 咪唑離子 苯甲基 對電極 上表面 下表面 支架層 基底 介孔 可用 耐濕 應(yīng)用 分解 制造 | ||
1.一種光電功能材料，其特征在于：所述光電功能材料的化學式為ABX3；其中，所述A為C6H4NH2+、C3H3N2+、C5H4N+、C6H4CH3+中的至少一種；
所述B為Cu2+、Ni2+、Fe2+、Co2+中的至少一種；
所述X為F-、Cl-、Br-、I-、BF4-、PF6-中的至少一種。
2.如權(quán)利要求1所述的光電功能材料，其特征在于：所述光電功能材料為C6H4NH2CuBr2I、C6H4NH2CuBr3-nFn、C6H4NH2NiI3、C6H4NH2NiI2Br、C3H3N2CuBr2I、C3H3N2CuBr3-nFn、C3H3N2NiI3中的至少一種，所述0≤n≤3。
3.如權(quán)利要求2所述的光電功能材料，其特征在于：所述C6H4NH2CuBr2I為三維非層狀鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的光電功能材料的制備方法，其特征在于：所述光電功能材料的制備方法為：稱量等摩爾比的BX2和AX，混合后研磨30～60min，在60～80℃保溫晶化2～12h，形成相應(yīng)的粉末晶體。
5.如權(quán)利要求1～3任一項所述光電功能材料在制備太陽能電池的光吸收層中的應(yīng)用。
6.一種太陽能電池的光吸收層，其特征在于：所述光吸收層由權(quán)利要求1～3任一項所述光電功能材料制備而成。
7.一種太陽能電池，其特征在于：包括如權(quán)利要求6所述光吸收層。
8.如權(quán)利要求7所述的太陽能電池，其特征在于：所述光吸收層的上表面自下而上依次設(shè)有空穴傳輸層和對電極；所述光吸收層的下表面自上而下依次設(shè)有介孔支架層、電子傳輸層和基底。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于湘潭大學，未經(jīng)湘潭大學許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611039255.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
