[發明專利]一種浮柵生成方法、閃存浮柵生成方法及閃存制造方法

在審

• 申請號: 201611039159.X
• 申請日: 2016-11-21
• 公開（公告）號: CN106783859A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 張超然;羅清威;劉杰;李赟;周俊
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/265;H01L21/306
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司11212
• 代理人: 楊立,陳振玉

1.一種浮柵生成方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，在襯底待生成浮柵區生成隔離；

步驟2，在襯底上沉積生成多晶硅層；所述多晶硅層包括待生成浮柵區多晶硅層和非生成浮柵區多晶硅層；

步驟3，對所述待生成浮柵區多晶硅層進行離子注入，以改變所述待生成浮柵區多晶硅層的結晶狀態；

步驟4，對多晶硅層進行化學機械研磨，直至所述待生成浮柵區多晶硅層被所述隔離分離，以形成柵格；

步驟5，去除所述非生成浮柵區多晶硅層，以形成浮柵。

2.根據權利要求1所述一種浮柵生成方法，其特征在于，所述步驟3包括，在所述多晶硅層上涂覆光刻膠，光刻去除所述待生成浮柵區多晶硅層上的光刻膠，保留所述非生成浮柵區多晶硅層上的光刻膠，以保留的光刻膠為掩膜對所述多晶硅層進行離子注入，以改變所述待生成浮柵區多晶硅層的結晶狀態。

3.根據權利要求2所述一種浮柵生成方法，其特征在于，所述離子注入為垂直于所述多晶硅層上表面的離子注入。

4.根據權利要求2所述一種浮柵生成方法，其特征在于，所述步驟3還包括，進行離子注入后，去除所述保留的光刻膠。

5.根據權利要求1至4任一所述一種浮柵生成方法，其特征在于，所述化學機械研磨使用Si O₂基研磨液或CeO₂基研磨液。

6.一種閃存浮柵生成方法，其特征在于，采用權利要求1至5任一所述一種浮柵生成方法，所述隔離為淺槽隔離。

7.根據權利要求6所述一種閃存浮柵生成方法，其特征在于，所述離子注入中注入的離子為磷離子。

8.一種閃存制造方法，其特征在于，采用權利要求7所述一種閃存浮柵生成方法，在待制造閃存的存儲區生成浮柵。

9.根據權利要求8所述一種閃存制造方法，其特征在于，外圍電路區所需的淺槽隔離與所述存儲區的淺槽隔離同時生成。