[發明專利]一種提高木蘭科大苗移栽成活率的方法

有效

• 申請號: 201611037846.8
• 申請日: 2016-11-23
• 公開（公告）號: CN106718492B
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發明（設計）人: 胡紹慶;楊浩;金磊;鄭一冰;張潔怡;賀少雁;洪建;袁雨晨
• 申請（專利權）人: 杭州市園林綠化股份有限公司
• 主分類號: A01G17/00
• 分類號: A01G17/00;A01G23/04
• 代理公司: 嘉興海創專利代理事務所(普通合伙) 33251
• 代理人: 鄭文濤

1.一種提高木蘭科大苗移栽成活率的方法，其特征在于包括如下步驟：

1）選苗：選擇樹勢健康、無病蟲害的木蘭科植物；

2）開挖：

a）清理木蘭科植物根莖附近表層雜物，包括枯枝、落葉、碎石；

b）用鐵鍬沿木蘭科植物主干逐漸往外、往下開挖，挖至側根時順側根延伸方向開挖，至第一層側根全部裸露出來，去除側根上多余的土，僅保留宿土，并保證側根上的須根系完整；

3）起苗及運輸：開挖后的木蘭科植物根系不做包扎或處理直接裝車，根系底部及主干與車輛交接處應墊有稻草墊或其他柔軟材料，防止根系及樹干損傷，處理完畢即運輸至移栽地點；

4）修剪：

a）枝葉修剪：木蘭科植物修剪以疏枝為主，鵝掌楸、樂昌含笑植物應保留主干優勢，禁止截干，主枝疏枝交錯進行，保持樹冠冠形，對枯枝、病枝及多余的枝條從基部剪除；

b）根系修剪：對木蘭科植物受損或有病害的須根進行修剪，修剪時應快速、準確，修剪面光滑，撕裂根系應在撕裂處上方1-2cm處將撕裂根系全部剪除，直徑超過1cm的側根及主根應對其切割面進行修剪，修剪面光滑，涂抹商品國光根靈可濕性粉劑500-600倍液，修剪完畢后將苗木置于透氣、干燥、風小的地方晾曬3-12h，使其根系干燥，溫度低時延長其晾曬時間，嚴禁放在太陽直射處；

5）樹穴處理：樹穴形狀應參照植物根系形狀進行挖掘或挖成淺鍋狀，植物主干位于樹穴中央，其各邊外緣均應比植物根系范圍寬15-20cm，深度比根系高度深5-10cm，當樹穴周圍土壤透水性較差時，在樹穴底部布置排水盲管或排水溝，樹穴內種植土應干燥，含水率不超過25%，土塊塊徑應小于5cm，在樹穴底部填入腐殖土體積含量20-30%的種植土8-15cm，若含水率過大，應進行晾曬后栽植；

6）栽植：將木蘭科植物苗木根系放入樹穴內，保持主干位于樹穴正中間、樹形通直、根莖高于種植土3-5cm，填入種植土，種植土應邊填入邊搗實，填至直徑超過3cm的錯落根系時，應邊填邊將土搗入，使根系間縫隙布滿土壤，填入根系高度1/3處后，種植土塊徑應小于2cm，種植土應埋至根莖稍下位置，并高于周邊地形標高3-5cm，沿主干周圍做水堰，水堰直徑為胸徑的5-6倍或地徑的4-5倍，水堰高度為8-10cm；

7）支撐；

8）澆水：支撐做好后應在栽植當天或栽植完12h內澆定根水，澆水應澆透，以澆完后水堰2h內仍有存水為準，如澆水時樹穴內種植土出現下沉現象，應往樹穴內繼續加入種植土，至無沉降發生為止，以后澆水同日常養護用水。

2.如權利要求1所述的一種提高木蘭科大苗移栽成活率的方法，其特征在于開挖時第一層側根深度不超過地表下20-30cm，如木蘭科植物為移栽苗，第一層側根沿主干往外挖0.8-1.8米，全部挖出后，沿其他側根生長勢開挖，保留根系上的細根及宿土，挖至深度為植物胸徑的3-5倍處將主根及其他側根根系鏟斷，深度為0.4-1.2米，如木蘭科植物為實生苗，第一層側根沿主干往外挖1.2-2.5米，全部挖出后，直接將下部主根及側根鏟斷，深度為0.3-0.5米。

3.如權利要求1所述的一種提高木蘭科大苗移栽成活率的方法，其特征在于開挖時如土質為砂性土或砂性壤土，邊開挖邊輕敲土球，將根系上多余的土去掉，如土質為黏性壤土或黏性土，灌入少量水，將根系上大塊土潤濕后再去除；保護須根系的完整性，得到木蘭科植物裸根苗。

4.如權利要求1所述的一種提高木蘭科大苗移栽成活率的方法，其特征在于枝葉修剪時主枝疏枝量為1/2-2/3，落葉類的木蘭科植物在其生長季將其葉片全部摘除，常綠類的應保留其頂部葉片，保留量為全株葉量的1/5-1/6。