[發明專利]一種半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 201611037641.X
• 申請日: 2016-11-23
• 公開（公告）號: CN108091555A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 任佳;張翼英;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成若干間隔排列的核；

形成間隙壁材料層，以覆蓋所述核以及所述半導體襯底，且使相鄰所述核之間的所述間隙壁材料層圍成開口；

形成犧牲材料層，以填充所述開口；

進行第一等離子體注入，以改性位于所述核頂面上的所述間隙壁材料層，形成第一改性的間隙壁材料層；

去除所述犧牲材料層以及所述第一改性的間隙壁材料層；

去除所述間隙壁材料層位于所述開口底部的部分，以在所述核的側壁上形成間隙壁；

去除所述核。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除所述間隙壁材料層位于所述開口底部的部分的步驟，包括以下步驟：

進行第二等離子體注入，以改性所述間隙壁材料層位于所述開口底部的部分，形成第二改性的間隙壁材料層；

刻蝕去除所述第二改性的間隙壁材料層。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一等離子體注入所使用的等離子體包括H2和/或He的輕離子。

4.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第二等離子體處理所使用的等離子體包括H2和/或He的輕離子。

5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述犧牲材料層的步驟包括以下步驟：

沉積犧牲材料層，以覆蓋所述間隙壁材料層；

平坦化所述犧牲材料層，停止于所述間隙壁材料層的頂面上。

6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述核之前，還包括在所述半導體襯底的表面上形成刻蝕停止層的步驟。

7.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述間隙壁材料層的材料包括氮化物。

8.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述間隙壁材料層的厚度范圍為100埃～300埃。

9.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述犧牲材料層的材料包括底部抗反射涂層、碳和有機分布層中的一種或幾種。

10.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，使用稀釋的氫氟酸溶液去除所述第一改性的間隙壁材料層。