[發(fā)明專利]一種具有高擇優(yōu)取向的銅晶體顆粒及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611037367.6
• 申請日: 2016-11-23
• 公開（公告）號: CN106757191B
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張蕓;王靖;朱自方;馬濤;陳路明
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州昕皓新材料科技有限公司
• 主分類號: C25D3/38
• 分類號: C25D3/38;C30B28/04;C30B29/02
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 閔東

1.一種具有高擇優(yōu)取向的銅晶體顆粒的制備方法，采用直流電鍍的工藝，其特征在于：電鍍電流密度為3～30A/dm²的，電鍍?nèi)芤喊ㄥ冦~添加劑和鍍銅基礎(chǔ)溶液；

所述鍍銅基礎(chǔ)溶液主要由硫酸銅與硫酸組合而成，且含有微量的鹽酸或氯化鈉，所述鍍銅基礎(chǔ)溶液中銅離子的濃度為40～60g/L，硫酸的濃度為80～120g/L，氯離子的濃度為40～60ppm；

所述鍍銅添加劑主要由酸銅加速劑、酸銅抑制劑和非染料酸銅整平劑構(gòu)成，所述酸銅加速劑在所述電鍍?nèi)芤褐械臐舛葹?～5mL/L，所述酸銅抑制劑在所述電鍍?nèi)芤褐械臐舛葹?～15mL/L；所述非染料酸銅整平劑在所述電鍍?nèi)芤褐械臐舛葹?5～35mL/L。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的種具有高擇優(yōu)取向的銅晶體顆粒的制備方法，其特征在于：所述酸銅加速劑的主要成分 為有機(jī)硫磺酸鹽，所述酸銅抑制劑的主要成分 為聚乙二醇，所述非染料酸銅整平劑的主要成分 為季銨鹽。

3.一種具有高擇優(yōu)取向的銅晶體顆粒，其特征在于：所述銅晶體顆粒為柱狀晶體顆粒，具有長軸方向和短軸方向，所述銅晶體顆粒的長軸方向尺寸為20nm～5μm，所述銅晶體顆粒的短軸方向尺寸為20nm～2μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有高擇優(yōu)取向的銅晶體顆粒，其特征在于：所述銅晶體顆粒的主擇優(yōu)取向是垂直于鍍銅襯底的方向，即豎直方向。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有高擇優(yōu)取向的銅晶體顆粒，其特征在于：所述銅晶體顆粒的其他方向擇優(yōu)程度不同的取向，即取向程度，所述取向程度決定于兩個因素，其一是晶體顆粒長軸方向與豎直方向的夾角的大小，夾角的范圍是0～45?，當(dāng)夾角為0時，即銅晶體顆粒的長軸方向和豎直方向保持平行；其二是形成所述夾角的晶體顆粒數(shù)占據(jù)總晶體顆粒數(shù)的份額，其份額的范圍是50～90% 。