[發明專利]基于表面等離子體直接測量縱向偏振光偏振態的方法有效
| 申請號： | 201611036724.7 | 申請日： | 2016-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN106768345B | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發明（設計）人： | 王海鳳;林劍;莊松林 | 申請（專利權）人： | 上海理工大學 |
| 主分類號： | G01J4/00 | 分類號： | G01J4/00 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司31001 | 代理人： | 吳寶根 |
| 地址： | 200093 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 表面 等離子體 直接 測量 縱向 偏振光 偏振 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于表面等離子體直接測量縱向偏振光偏振態的方法，其特征在于，具體包括如下步驟：
1）制作探測基片，探測基片包括玻璃基片、附在玻璃基本上的與玻璃基片面積相同的200納米厚的鉻薄膜記錄層，以及在記錄層上的金屬納米顆粒，記錄層上的金屬納米顆粒的尺寸為被測光束波長的1/3左右；
2）在待測光束的光路上依次放置可調光功率衰減器和曝光快門，在光路的末端，也就是測量光偏振狀態的位置放置探測基片，帶測光垂直入射到記錄層；
3）通過可調光功率衰減器調節光功率至符合測量要求的范圍內；
4）調節曝光快門的曝光時間，待測光束經過可調光功率衰減器和曝光快門，然后垂直入射到探測基片上，進行一次曝光；
5）使用掃描電子顯微鏡對探測基片在曝光過程中被照射的區域進行觀察，紀錄此區域內記錄層上金屬納米顆粒所處位置及其附近的表面形貌；
6）通過計算模擬，得到探測基片上記錄層上金屬納米顆粒所處位置附近的電場分布圖，然后將步驟5）中得到的表面形貌與模擬結果進行對比，確定待測光束的偏振狀態。
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