[發明專利]有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 201611035941.4 | 申請日: | 2016-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN106803512B | 公開(公告)日: | 2022-02-08 |
| 發明(設計)人: | 崔忠碩;金秀燕;金鉉鎬 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;劉燦強 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,包括:
互相間隔開的多個像素電極;
像素限定層,與所述多個像素電極中的每一個的邊緣重疊;
相對電極,布置為與所述多個像素電極和所述像素限定層共同重疊;
多個發射層,設置在所述多個像素電極和所述相對電極之間,所述多個發射層分別與所述多個像素電極重疊;
反射調節層,布置為與所述多個像素電極和所述像素限定層重疊,所述反射調節層具有導電性并且接觸所述相對電極;以及
多個相位控制層,彼此間隔開,設置在所述相對電極和所述反射調節層之間,
其中,所述相位控制層直接布置在所述相對電極和所述反射調節層之間,
在所述多個發射層中的每一個處,在入射到所述反射調節層的光之中,由所述反射調節層的上表面反射第一光,并且由所述相對電極的上表面反射透射所述反射調節層和所述相位控制層的第二光,并且
通過所述相位控制層和所述反射調節層調節所述第一光和所述第二光的光學路徑之間的差異使得所述第一光和所述第二光之間發生相消干涉。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,所述反射調節層限定的消光系數大于由所述相位控制層限定的消光系數。
3.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,
在所述多個發射層中的每一個處,所述相位控制層的最大厚度限定第一厚度并且所述反射調節層的最大厚度限定第二厚度,
以及所述第一厚度和所述第二厚度的和引起所述第一光和所述第二光的相消干涉。
4.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,
在所述多個發射層中的每一個處,所述相對電極的上表面和所述反射調節層的上表面彼此以距離間隔,
以及在所述多個發射層中的每一個處,所述相對電極的上表面和所述反射調節層的上表面之間的最大距離引起所述第一光和所述第二光的相消干涉。
5.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,所述反射調節層包括Ti、Mo、Mn、Cr、W、Ni、Co、Cu、CrNx、TiNx、TiAlNx、NiS或TiC。
6.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,所述相位控制層包括SiNx、SiO2、SiCN、LiF、MgF2、CaF2、SiON、TaxOy或TiOx。
7.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,
所述相位控制層包括彼此間隔開的部分,并且暴露所述相對電極的部分,以及
具有導電性的所述反射調節層接觸所述相對電極的暴露的部分,所述相對電極的暴露的部分在彼此間隔開的所述相位控制層的部分之間。
8.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,所述相位控制層包括各自彼此間隔開并且對應于所述多個像素電極的部分。
9.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,進一步包括顯示區域,所述多個像素電極位于所述顯示區域內,
其中,所述反射調節層被設置為單體,以與所述顯示區域內的所述多個像素電極共同重疊。
10.根據權利要求9所述的有機發光顯示裝置,其中,與所述顯示區域內的所述多個像素電極共同重疊的所述反射調節層對應于所述相對電極,所述相對電極與所述多個像素電極和所述像素限定層共同重疊。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611035941.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:OLED顯示面板
- 下一篇:半導體功率器件的終端結構及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





