[發明專利]發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201611035832.2
• 申請日: 2011-06-13
• 公開（公告）號: CN106653974B
• 公開（公告）日: 2019-03-05
• 發明（設計）人: 許暋贊;陳相奇;金鐘奎;慎鎮哲;李曉羅;李剡劤
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/08;H01L33/20;H01L33/50;H01L33/60;H01L33/62
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強

1.一種發光二極管芯片，包括：

基底；

發光結構，位于所述基底上，所述發光結構包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及設置在所述第一導電型半導體層與所述第二導電型半導體層之間的有源層；以及

交替層壓底部結構，位于所述基底下方，所述交替層壓底部結構包括多個電介質對，所述多個電介質對中的每個包括具有第一折射率的第一材料層和具有第二折射率的第二材料層，所述第一折射率大于所述第二折射率，

所述多個電介質對包括：

多個第一電介質對，每個第一電介質對包括第一材料層和第二材料層，多個第一電介質對中的第一材料層和第二材料層的光學厚度均小于λ/4；

至少一個第二電介質對，每個第二電介質對包括第一材料層和第二材料層，第二電介質對中的第一材料層和第二材料層中的一個材料層的光學厚度小于λ/4，另一個材料層的光學厚度大于λ/4；以及

多個第三電介質對，每個第三電介質對包括第一材料層和第二材料層，第三電介質對中的第一材料層和第二材料層的光學厚度均大于λ/4，

其中，λ是可見光范圍的中心波長，且λ為550nm，

其中，所述至少一個第二電介質對被第一電介質對或第三電介質對圍繞，或者被一個第一電介質對和一個第二電介質對圍繞。

2.如權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，

少數第三電介質對插入在所述至少一個第二電介質對與大多數第一電介質對之間。

3.如權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，

少數第一電介質對插入在至少一個第二電介質對與大多數第三電介質對之間。

4.如權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，

所述至少一個第二電介質對位于所述交替層壓底部結構的中心的1層或2層的范圍內。

5.如權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，

所述第一電介質對中的80％或更多定位成關于所述至少一個第二電介質對與所述第三電介質對的80％或更多相對。

6.如權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，

金屬反射器位于所述交替層壓底部結構下方。

7.如權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，

界面層形成于基底與所述交替層壓底部結構之間，并且由與所述交替層壓底部結構相同的材料形成。

8.如權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，

交替層壓頂部結構位于所述發光結構上，并且被布置為當從磷光體發出的光被磷光體進行了波長轉換時，反射從所述磷光體發出的光以使其再次進入所述發光二極管芯片，從所述磷光體發出的光的波段為從綠色到紅色。

9.如權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，

所述發光結構包括發光單元，所述發光單元以串聯或并聯的方式彼此連接，以形成發光結構的串聯陣列或并聯陣列。

10.如權利要求9所述的發光二極管芯片，其特征在于，

至少一條引線在相鄰發光單元中將所述第一導電型半導體層和所述第二導電型半導體層彼此電連接，以形成發光結構的串聯或并聯陣列。

11.如權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，

磷光體分散在位于發光二極管芯片上的樹脂層。

12.如權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，

所述第一電介質對位于比所述第三電介質對更靠近或更遠離所述基底的位置。