[發明專利]一種可彎曲的超大不飽和磁阻材料制備方法及制備的材料有效
| 申請號： | 201611035237.9 | 申請日： | 2016-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN106784303B | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 王學鋒;高明;鈕偉;徐永兵;張榮 | 申請（專利權）人： | 南京大學 |
| 主分類號： | H01L43/10 | 分類號： | H01L43/10;H01L43/12;C23C14/28;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 唐紹焜 |
| 地址： | 210093 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 彎曲 超大 不飽和 磁阻 材料 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種可彎曲的超大不飽和磁阻材料制備方法，其特征在于：包括步驟：
步驟1：將裝有新解理的氟晶云母基片的真空腔室抽到4.6±1×10-7Pa，并將氟晶云母基片加熱到恒定溫度300±5℃；
步驟2：保持步驟1中的生長條件，采用波長248nm的KrF準分子激光器將激光通過透鏡聚焦到碲化鎢靶材上，所述碲化鎢靶材與激光束的夾角為45°+2°，激光束的平均能量密度為1.5±0.5J/cm2，激光重復頻率為1Hz，沉積時間根據選擇厚度而決定；
步驟3：完成所述碲化鎢薄膜生長后，基片溫度保持不變，原位退火10min，然后將碲化鎢薄膜冷卻至室溫，即得到超大不飽和磁阻材料。
3.根據權利要求1所述的超大不飽和磁阻材料制備方法，其特征在于：所述碲化鎢薄膜材料由W、Te以化學元素比1:2形成的化合物；所述的薄膜材料是單晶的。
4.根據權利要求1所述的超大不飽和磁阻材料制備方法，其特征在于：所述步驟2中碲化鎢靶材以均勻速率進行轉動。
5.根據權利要求1所述的超大不飽和磁阻材料制備方法，其特征在于：所述步驟3中原位退火過程中保持氣壓不變。
6.一種超大不飽和磁阻材料，其特征在于：所述超大不飽和磁阻材料采用權利要求1或2所述的方法制備而成。
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