[發明專利]制造圖案化導體的方法有效
| 申請號: | 201611034509.3 | 申請日: | 2016-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN106711276B | 公開(公告)日: | 2018-08-03 |
| 發明(設計)人: | T·狄凱克;M·A·德格拉夫;C·布拉特;S·普羅特;C·A·托夫斯范考特海姆 | 申請(專利權)人: | 陶氏環球技術有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L51/00;H01L51/10;H05K3/06;H05K9/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陳哲鋒 |
| 地址: | 美國密*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 纖維 導電層 沉積 圖案化 襯底 圖案化導體 紡紗材料 纖維陣列 蝕刻劑 未處理 去除 導電層接觸 導電網絡 纖維圖案 掩模材料 顯影劑 光敏 基材 顯影 掩模 制造 覆蓋 | ||
1.一種制造圖案化的導體的方法,其包含:
提供襯底,其中所述襯底包含:
基材;以及
導電層,其中所述導電層沉積在所述襯底上;
提供導電層蝕刻劑;
提供紡織材料,其中所述紡織材料包含:
載體;以及
掩模材料,其中所述掩模材料為光敏材料;
提供顯影劑;
通過選自由以下組成的群組的工藝加工所述紡織材料形成多個掩模纖維:電紡、噴氣電紡、無針電紡和熔體電紡;
在所述導電層上沉積所述多個掩模纖維,從而形成多個沉積的纖維;
任選地,在所述導電層上壓緊所述多個沉積的纖維;
使所述多個沉積的纖維圖案化,以改變所述多個沉積的纖維的選擇部分的性質,從而提供處理的纖維部分和未處理的纖維部分;
通過使所述多個沉積的纖維接觸所述顯影劑而顯影所述多個沉積的纖維,其中去除(i)所述處理的纖維部分或(ii)所述未處理的纖維部分;留下圖案化纖維陣列;
使所述導電層接觸所述導電層蝕刻劑,其中從所述襯底上去除未被所述圖案化的纖維陣列覆蓋的所述導電層,從而在所述襯底上留下被所述圖案化的纖維陣列覆蓋的圖案化的導電網絡,以提供所述圖案化的導體;
提供剝離劑;以及
用所述剝離劑處理所述圖案化的纖維陣列,其中去除所述圖案化的纖維陣列,以在所述襯底上暴露所述圖案化的導電網絡;
其中,所述圖案化的導電網絡是受控圖案;其中,所述受控圖案為多個分離的相互連接導電網絡;其中,所述多個分離的相互連接導電網絡中的每個相互連接導電網絡與所述多個分離的相互連接導電網絡中的其它相互連接導電網絡電絕緣。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述圖案化的導體是圖案化的透明導體。
3.根據權利要求2所述的方法,其中所述導電層是選自由以下組成的群組的導電層:銀、銅、鈀、鉑、金、鋅、硅、鎘、錫、鋰、鎳、銦、鉻、銻、鎵、硼鉬、鍺、鋯、鈹、鋁、鎂、錳、鈷、鈦,它們的導電合金或導電氧化物。
4.根據權利要求3所述的方法,其中所述多個掩模纖維使用電紡形成和沉積到所述導電層上。
5.根據權利要求3所述的方法,其中所述導電層是銀。
6.根據權利要求5所述的方法,其中所述圖案化的透明導體具有≥80%的總透射率,≤5%的霧度以及≤5Ω/sq的薄層電阻。
7.一種圖案化的透明導體,其根據權利要求6所述的方法制造。
8.根據權利要求4所述的方法,其中所述掩模材料為(烷基)丙烯酸烷基酯和烷基丙烯酸的共聚物。
9.根據權利要求8所述的方法,其中所述掩模材料為(C1-4烷基)丙烯酸C1-5烷基酯和C1-5烷基丙烯酸的共聚物,其中所述共聚物含有5-10mol%的所述C1-5烷基丙烯酸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





