[發明專利]一種自動上下料及自動翻片系統及其工作方法

有效

• 申請號: 201611034140.6
• 申請日: 2016-11-23
• 公開（公告）號: CN108091722B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 曹陽;陳金元;周松濤;陳力兵;諸迎軍;譚曉華;胡宏逵
• 申請（專利權）人: 上海理想萬里暉薄膜設備有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0747;H01L21/67;H01L21/677
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1.一種自動上下料及自動翻片系統，應用于兩臺含有獨立的進片腔、出片腔以及反應腔的PECVD設備中，其特征在于：所述系統包括：

氮氣房，用于提供潔凈度小于等于0.5微米顆粒物100級、氧氣含量低于5％、相對濕度小于10％的氮氣環境；

兩套自動上料裝置，分別與所述兩臺PECVD設備的進片腔對接，用于完成對所述PECVD設備的硅片上料工作；

兩套自動下料裝置，分別與所述兩臺PECVD設備的出片腔對接，用于完成對所述PECVD設備的硅片下料工作；

自動翻片裝置，設置于相鄰的兩臺PECVD設備之間，用于完成所述硅片的翻轉工作；

所述自動翻片裝置包含有花籃，所述花籃用于承載多片硅片；

所述自動上料裝置、自動下料裝置、自動翻片裝置均位于所述氮氣房內；

所述PECVD設備用于制備雙面的薄膜/晶硅異質結太陽能電池；

其中，所述硅片在所述兩臺PECVD設備中的第一PECVD設備中完成一面的I層N層或者I層P層中的一種的非晶硅薄膜覆膜，自動翻片裝置實現了將花籃翻轉的功能，花籃經過翻轉，上下硅片的位置發生顛倒，硅片的一面與另一面也隨之顛倒，使得硅片在第二臺PECVD設備中能夠進行另一面的I層P層或者I層N層中的另一種的非晶硅薄膜鍍膜。

2.根據權利要求1所述的自動上下料及自動翻片系統，其特征在于：所述PECVD設備的反應腔工藝溫度為160-280℃。

3.根據權利要求2所述的自動上下料及自動翻片系統，其特征在于：所述自動上料裝置進行硅片上料工作的溫度高于60℃。

4.根據權利要求2所述的自動上下料及自動翻片系統，其特征在于：所述自動下料裝置進行硅片下料工作的溫度高于80℃。

5.根據權利要求4所述的一種自動上下料及自動翻片系統，其特征在于：所述氮氣房從初始充氮氣開始至達到所述氮氣環境的時間小于15分鐘，所述氮氣房從排出氮氣開始至達到氧氣含量為20％的時間小于10分鐘。

6.根據權利要求1所述的自動上下料及自動翻片系統，其特征在于：所述PECVD設備的硅片上料或者下料工作中含有皮帶傳輸過程，所述皮帶傳輸的通道數為1-10，所述自動翻片裝置個數與所述皮帶傳輸的通道數保持一致。

7.一種根據權利要求1所述的自動上下料及自動翻片系統的工作方法，該方法應用于制備雙面的薄膜/晶硅異質結太陽能電池過程中，其特征在于：所述自動上下料及自動翻片系統位于潔凈度小于等于0.5微米顆粒物100級，氧氣含量低于5％，相對濕度小于10％的氮氣環境中，所述工作方法包括以下步驟：

第一步，第一套自動上料裝置完成對第一臺PECVD設備進片腔的硅片上料工作；

第二步，在所述第一臺PECVD設備的反應腔內完成所述硅片一面的I層N層或者I層P層中的一種的非晶硅薄膜覆膜；

第三步，第一套自動下料裝置完成對所述第一臺PECVD設備出片腔的硅片下料工作；

第四步，自動翻片裝置完成所述硅片的翻轉工作；

第五步，第二套自動上料裝置完成對第二臺PECVD設備進片腔的硅片上料工作；

第六步，在所述第二臺PECVD設備的反應腔內完成所述硅片另一面的I層P層或者I層N層中的另一種的非晶硅薄膜覆膜；

第七步，第二套自動下料裝置完成對所述第二臺PECVD設備出片腔的硅片下料工作。

8.根據權利要求7所述的自動上下料及自動翻片系統的工作方法，其特征在于：所述第一臺和第二臺PECVD設備的反應腔工藝溫度均為160-280℃，所述第一套和第二套自動上料裝置進行硅片上料工作的溫度均高于60℃，所述第一套和第二套自動下料裝置進行硅片下料工作的溫度均高于80℃。