[發(fā)明專利]一種低溫多晶硅薄膜的制備方法、薄膜晶體管、陣列基板以及液晶顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611033946.3
• 申請(qǐng)日: 2016-11-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106783532B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/324;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

1.一種低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上形成金屬層；

利用第一光罩對(duì)所述金屬層進(jìn)行曝光顯影，得到金屬圖案，所述金屬圖案包括鏤空的硅島區(qū)和位于所述硅島區(qū)左右側(cè)或者上下側(cè)的金屬區(qū)；

在所述金屬圖案上形成第二隔離層，所述第二隔離層為氮化硅材料制成；

在所述第二隔離層上形成第一輔助功能層，所述第一輔助功能層為二氧化硅材料制成；

在所述第一輔助功能層上形成非晶硅層；

在所述非晶硅層上形成第二輔助功能層，所述第二輔助功能層為二氧化硅材料制成，所述二氧化硅材料是通過(guò)臭氧氧化處理形成的；

提供一準(zhǔn)分子激光束以在所述基板形成有所述非晶硅層的一側(cè)進(jìn)行照射，進(jìn)而使所述非晶硅層形成多晶硅薄膜；

利用所述第一光罩對(duì)所述多晶硅薄膜進(jìn)行曝光顯影，進(jìn)而去掉所述金屬區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在基板上形成金屬層的步驟，包括：

在基板上依次形成第一隔離層、金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述第一隔離層的厚度范圍為

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述非晶硅層的厚度范圍為

5.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括通過(guò)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的制備方法獲得的低溫多晶硅薄膜。

6.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管。

7.一種液晶顯示面板，其特征在于，所述液晶顯示面板包括權(quán)利要求6所述的陣列基板。