[發明專利]一種HfO2基鐵電材料的使用方法在審
| 申請號： | 201611033497.2 | 申請日： | 2016-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN106783531A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 畢磊;黃飛;王艷 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;C01G27/02 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心51203 | 代理人： | 閆樹平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 hfo2 基鐵電 材料 使用方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種HfO2基鐵電材料的使用方法，其特征在于：應用于極端工作環境。
2.如權利要求1所述HfO2基鐵電材料的使用方法，其特征在于：所述極端工作環境為高輻射環境。
3.如權利要求2所述HfO2基鐵電材料的使用方法，其特征在于：所述高輻射環境為核工業、航天以及核醫療業。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
