[發明專利]一種發光二極管的外延片及其生長方法有效
| 申請號： | 201611033249.8 | 申請日： | 2016-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN106653970B | 公開（公告）日： | 2019-08-23 |
| 發明（設計）人： | 劉華容 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 外延 及其 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種發光二極管的外延片，所述外延片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、發光層、P型GaN層，其特征在于，所述緩沖層包括依次層疊的厚度為100nm的GaN層和厚度為200nm的摻雜Mg的GaN層，所述未摻雜GaN層的厚度為3μm，所述緩沖層的生長溫度為700~1100℃。
2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述緩沖層中Mg的摻雜濃度按照以下方式中的一種變化：保持不變、沿所述外延片的層疊方向逐漸增加、沿所述外延片的層疊方向逐漸減少、沿所述外延片的層疊方向先逐漸增加再逐漸減少、沿所述外延片的層疊方向交替變成兩種不同摻雜濃度的一種。
3.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述緩沖層中Mg的摻雜濃度小于所述P型GaN層中P型摻雜劑的摻雜濃度。
4.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述襯底的材料采用Si、藍寶石、SiC中的一種。
5.一種發光二極管的外延片的生長方法，其特征在于，所述生長方法包括：
在襯底上依次生長緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、發光層、P型GaN層；
其中，所述緩沖層包括依次層疊的厚度為100nm的GaN層和厚度為200nm的摻雜Mg的GaN層，所述未摻雜GaN層的厚度為3μm，所述緩沖層的生長溫度為700~1100℃。
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