[發明專利]半導體封裝與其制造方法

在審

• 申請號: 201611032920.7
• 申請日: 2016-11-18
• 公開（公告）號: CN107887345A
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 林柏均
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司11279
• 代理人: 王正茂,叢芳

1.一種半導體封裝，其特征在于，包含：

半導體晶片，具有相對的第一表面與第二表面以及至少一個側壁，所述側壁連接所述第一表面與所述第二表面；

中介層，置于所述半導體晶片的所述第一表面上；

第一重分布層，置于所述半導體晶片的所述第二表面上，且電性連接所述半導體晶片；以及

模料，置于所述中介層與所述第一重分布層之間，且連接所述半導體晶片的所述側壁。

2.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，還包含貫穿結構，置于所述中介層與所述模料中，且電性連接所述第一重分布層。

3.如權利要求2所述的半導體封裝，其特征在于，還包含半導體裝置，電性連接所述貫穿結構，其中所述半導體晶片置于所述半導體裝置與所述第一重分布層之間。

4.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述中介層的厚度為約10微米至約1000微米。

5.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述中介層包含硅、二氧化硅、絕緣層上硅或其組合。

6.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述中介層的楊氏模量高于所述模料的楊氏模量。

7.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述中介層的熱膨脹系數小于所述模料的熱膨脹系數。

8.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，還包含黏合層，置于所述半導體晶片與所述中介層之間。

9.如權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，還包含第二重分布層，而所述中介層置于所述第一重分布層與所述第二重分布層之間。

10.一種半導體封裝的制造方法，包含：

在載板上放置半導體晶片；

在所述半導體晶片上放置中介層；

在所述載板與所述中介層之間形成模料，并環繞所述半導體晶片；

移除所述載板；以及

在所述半導體晶片上形成第一重分布層，其中所述半導體晶片置于所述中介層與所述第一重分布層之間。

11.如權利要求10所述的半導體封裝的制造方法，其特征在于，所述中介層包含硅、二氧化硅、絕緣層上硅或其組合。

12.如權利要求10所述的半導體封裝的制造方法，其特征在于，所述中介層的楊氏模量高于所述模料的楊氏模量。

13.如權利要求10所述的半導體封裝的制造方法，其特征在于，所述中介層的熱膨脹系數小于所述模料的熱膨脹系數。

14.如權利要求10所述的半導體封裝的制造方法，其特征在于，在所述半導體晶片上放置所述中介層的步驟包含在所述中介層與所述半導體晶片之間形成融合鍵。

15.如權利要求10所述的半導體封裝的制造方法，其特征在于，在所述半導體晶片上放置所述中介層的步驟包含：

在所述半導體晶片上形成黏合層；以及

在所述黏合層上放置所述中介層。

16.如權利要求10所述的半導體封裝的制造方法，其特征在于，還包含在所述模料與所述中介層中形成貫穿結構。

17.如權利要求16所述的半導體封裝的制造方法，其特征在于，形成所述貫穿結構包含：

在所述模料與所述中介層中形成貫穿孔；以及

在所述貫穿孔中形成所述貫穿結構。

18.如權利要求16所述的半導體封裝的制造方法，其特征在于，還包含連接半導體裝置至所述貫穿結構，其中所述半導體晶片置于所述半導體裝置與所述第一重分布層之間。

19.如權利要求10所述的半導體封裝的制造方法，其特征在于，還包含在所述中介層上形成第二重分布層，其中所述中介層置于所述第二重分布層與所述第一重分布層之間。

20.如權利要求10所述的半導體封裝的制造方法，其特征在于，還包含在所述第一重分布層上形成凸塊。