[發明專利]基于SOI結構的熱不敏感激光器

在審

• 申請號: 201611032904.8
• 申請日: 2016-11-16
• 公開（公告）號: CN108075356A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 李偉龍;張永干;孫雨舟
• 申請（專利權）人: 蘇州旭創科技有限公司
• 主分類號: H01S5/20
• 分類號: H01S5/20;H01S5/22
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述激光器包括SOI結構、位于SOI結構上且對應設置的第一反射結構和第二反射結構、以及位于SOI結構上第一反射結構和第二發射結構之間的激光發射器件及負溫度系數波導，所述SOI結構包括位于底層的硅襯底、中間的絕緣層及位于頂層的硅，頂層的硅在第一反射結構和第二反射結構之間形成有硅波導，所述激光發射器件作為激光器的有源區，所述負溫度系數波導用于對激光器的正向折射率變化進行補償，以使光線的波長穩定在預設范圍內。

2.根據權利要求1所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述激光發射器件采用正溫度系數材料的Ⅲ-Ⅴ族化合物制造而成。

3.根據權利要求2所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述激光發射器件通過倒焊裝或鍵合的方法與SOI結構中頂層的硅相集成。

4.根據權利要求1所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述負溫度系數波導的材料為負溫度系數的聚合物材料。

5.根據權利要求1所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述第一反射結構和/或第二反射結構為反射光柵或反射膜。

6.根據權利要求1所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述硅波導包括位于激光發射器件與負溫度系數波導之間的第一硅波導、和/或位于第一反射結構與激光發射器件之間的第二硅波導、和/或位于第二反射結構與負溫度系數波導之間的第三硅波導。

7.根據權利要求1所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述第一硅波導和/或第三硅波導在朝向負溫度系數波導的方向上寬度逐漸減小。

8.根據權利要求7所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述第一硅波導和/或第三硅波導在與負溫度系數波導的界面處呈倒錐形結構。

9.根據權利要求1所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述第一硅波導和/或第二硅波導在朝向激光發射器件的方向上寬度逐漸減小。

10.根據權利要求9所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述第一硅波導和/或第二硅波導在與激光發射器件的界面處呈倒錐形結構。