[發明專利]基于SOI結構的熱不敏感激光器

在審

• 申請號: 201611032903.3
• 申請日: 2016-11-16
• 公開（公告）號: CN108075355A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 李偉龍;張永干;孫雨舟
• 申請（專利權）人: 蘇州旭創科技有限公司
• 主分類號: H01S5/20
• 分類號: H01S5/20;H01S5/22
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述激光器包括SOI結構、位于SOI結構上且對應設置的第一反射結構和第二反射結構、以及位于SOI結構上第一反射結構和第二發射結構之間的激光發射器件及負溫度系數波導，所述SOI結構包括位于底層的硅襯底、中間的絕緣層及位于頂層的硅，頂層的硅在激光發射器件和負溫度系數波導之間形成有硅波導，所述負溫度系數波導的至少一側形成有二氧化硅波導，所述激光發射器件作為激光器的有源區，所述負溫度系數波導用于對激光器的正向折射率變化進行補償，以使光線的波長穩定在預設范圍內。

2.根據權利要求1所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述激光發射器件采用正溫度系數材料的Ⅲ-Ⅴ族化合物制造而成。

3.根據權利要求2所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述激光發射器件通過倒焊裝或鍵合的方法與SOI結構中頂層的硅相集成。

4.根據權利要求1所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述負溫度系數波導的材料為負溫度系數的聚合物材料。

5.根據權利要求1所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述第一反射結構和/或第二反射結構為反射光柵或反射膜。

6.根據權利要求1所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述二氧化硅波導包括位于硅波導與負溫度系數波導之間的第一二氧化硅波導、以及位于第一負溫度系數波導與第二反射結構之間的第二二氧化硅波導。

7.根據權利要求6所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述硅波導在朝向第一二氧化硅波導的方向上寬度逐漸減小。

8.根據權利要求7所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述硅波導在與第一二氧化硅波導的界面處呈倒錐形結構。

9.根據權利要求6所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述硅波導在朝向激光發射器件的方向上寬度逐漸減小。

10.根據權利要求9所述的基于SOI結構的熱不敏感激光器，其特征在于，所述硅波導在與激光發射器件的界面處呈倒錐形結構。