[發明專利]半導體封裝及其制造方法

有效

• 申請號: 201611032378.5
• 申請日: 2016-11-22
• 公開（公告）號: CN107768295B
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: 施信益
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L23/498;H01L23/538;H01L21/60
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種半導體封裝，其包括：

內連部件，其由模塑料環繞，其中所述內連部件包括第一重布層(RDL)結構；

第二RDL結構，其安置于所述內連部件與所述模塑料上，其中所述第二RDL結構與所述第一RDL結構電連接；

多個第一連接件，其安置于所述第二RDL結構的第一側上，所述第二RDL結構的第一側與安置于所述內連部件和所述模塑料上的所述第二RDL結構的第二側相對；

拋光停止層，其覆蓋所述內連部件的第一側上，所述內連部件的第一側與所述第二RDL結構在其上安置的所述內連部件的第二側相對，其中所述拋光停止層包括多個開口；

多個第二連接件，其安置于所述第一RDL結構的介電層上且在所述第一RDL結構的介電層中，所述多個第二連接件安置在所述內連部件的所述第一側上且形成于所述拋光停止層的所述多個開口中；以及

至少一個半導體晶粒，其安裝于所述多個第二連接件的至少一者上。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述拋光停止層包含氮化硅、氧化硅或其組合。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一連接件為BGA球。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝，其中所述第一連接件具有球間距，所述球間距匹配于母板或印刷電路板(PCB)上的球墊間距。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝，其中所述第二連接件為微凸塊。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝，其中所述第二連接件具有細間距，所述細間距匹配于所述至少一個半導體晶粒的主表面上的輸出/輸入(I/O)墊間距。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述拋光停止層與所述模塑料的上表面齊平。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述至少一個半導體晶粒通過所述多個第二連接件中的所述至少一者與所述第一RDL結構電連接。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述至少一個半導體晶粒安裝在所述多個第二連接件的所述至少一者上以使得所述至少一個半導體晶粒的主表面面對所述多個第二連接件中的所述至少一者。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一RDL結構包括所述介電層和繞線層。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第二RDL結構包括介電層和繞線層。

12.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第二RDL結構與所述第一RDL結構電連接且其中所述第二RDL的繞線層與所述第一RDL結構的繞線層電連接。

13.根據權利要求10所述的半導體封裝，其中所述第一RDL結構進一步包括電連接至所述繞線層的凸塊墊，且其中所述多個第二連接件形成于所述凸塊墊的上方。

14.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述拋光停止層包括介電層或鈍化層。

15.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第二RDL結構進一步包括焊墊，且其中所述多個第一連接件形成于所述第二RDL結構的各個焊墊之上。

16.根據權利要求1所述的半導體封裝，其進一步包括在所述第二RDL結構的所述第一側上形成的防焊層，且其中所述多個第一連接件經由開口形成于所述防焊層中。