[發明專利]集成的光聲氣體傳感器模塊

在審

• 申請號: 201611031906.5
• 申請日: 2016-11-22
• 公開（公告）號: CN107036967A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: K·埃利安;S·科爾布;T·米勒;R·M·沙勒;H·托伊斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G01N21/17
• 分類號: G01N21/17;H01L25/16
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 周家新,蔡洪貴

1.一種光聲氣體傳感器，包括：

襯底；

由所述襯底支撐的光發射器單元，所述光發射器單元包括光發射器，所述光發射器被配置用來發射具有預定的重復頻率和波長的光脈沖的光束，所述預定的重復頻率和波長相應于待被感測的氣體的吸收帶；以及

由所述襯底支撐的檢測器單元，所述檢測器單元包括微音器；

其中，所述光脈沖的光束穿過旨在容納所述氣體的區域，所述微音器能夠接收以所述重復頻率振蕩的信號。

2.根據權利要求1所述的光聲氣體傳感器，其中，

所述襯底包括半導體襯底、硅基襯底、玻璃襯底以及陶瓷襯底中的一種或一種以上。

3.根據權利要求1或2所述的光聲氣體傳感器，其中，

所述襯底包括半導體襯底，尤其是硅基襯底，并且

所述光發射器和所述微音器中的一個或一個以上被集成在所述半導體襯底中。

4.根據前述權利要求中任一項所述的光聲氣體傳感器，其中，

所述襯底包括半導體襯底，尤其是硅基襯底，并且

所述光發射器和所述微音器中的一個或一個以上至少部分地與所述半導體襯底鄰接。

5.根據權利要求3或4所述的光聲氣體傳感器，其中，

所述襯底包括集成在所述襯底中的電子裝置或電子電路。

6.根據權利要求1或2所述的光聲氣體傳感器，其中，

所述光發射器單元和所述檢測器單元中的一個或一個以上由附接至所述襯底的預制的模塊組成。

7.根據前述權利要求中任一項所述的光聲氣體傳感器，還包括：

蓋構件，所述蓋構件設置在所述襯底之上，并且被配置用來限定旨在容納氣體的所述區域。

8.根據權利要求7所述的光聲氣體傳感器，還包括：

參考氣體；以及

所述檢測器單元包括檢測器單元室；

其中，所述襯底和所述蓋構件還被配置用來限定所述檢測器單元室，所述參考氣體被包圍在所述檢測器單元室內，所述參考氣體與所述待被感測的氣體屬于同一種類。

9.根據權利要求7或8所述的光聲氣體傳感器，其中，

所述光發射器單元包括光發射器單元室；

其中，所述襯底和所述蓋構件還被配置用來限定所述光發射器單元室。

10.根據權利要求7至9中任一項所述的光聲氣體傳感器，其中，

所述蓋構件被配置用來使由所述光發射器單元發射的所述光脈沖的光束朝鄰近所述檢測器單元的區域的方向偏轉。

11.根據權利要求7至10中任一項所述的光聲氣體傳感器，其中，

所述蓋構件包括位于環境與旨在容納氣體的所述區域之間的開口。

12.根據權利要求7至11中任一項所述的光聲氣體傳感器，其中，

所述蓋構件由半導體材料、硅基材料、玻璃材料以及陶瓷材料中的一種或一種以上組成。

13.根據前述權利要求中任一項所述的光聲氣體傳感器，還包括：

設置在所述襯底之下的底部構件，其中，所述底部構件由半導體材料、硅基材料、玻璃材料以及陶瓷材料中的一種或一種以上組成。

14.一種光聲氣體傳感器模塊，包括：

襯底；

光發射器，所述光發射器被配置用來發射待被氣體吸收的光脈沖的光束；以及

檢測器，所述檢測器被配置用來接收以所述光脈沖的重復頻率振蕩的信號；

其中，所述光發射器和所述檢測器由所述襯底支撐。

15.根據權利要求14所述的光聲氣體傳感器，其中，

所述襯底包括與所述光發射器和所述檢測器連接的電通孔連接部。

16.根據權利要求14或15所述的光聲氣體傳感器，還包括：

設置在所述襯底之上的蓋構件，所述蓋構件包括反射壁，所述反射壁被配置用來將由所述光發射器發射的所述光脈沖的光束朝與所述檢測器鄰近的區域的方向反射。

17.根據權利要求14至16中任一項所述的光聲氣體傳感器，還包括：

設置在所述襯底之下的底部構件，所述底部構件包括電通孔連接部。