[發(fā)明專利]一種雙頻徑向連續(xù)波太赫茲斜注管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611031076.6 | 申請(qǐng)日: | 2016-11-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106783476B | 公開(公告)日: | 2018-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳再高;王建國(guó);程國(guó)新;王玥;任澤平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西北核技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | H01J23/24 | 分類號(hào): | H01J23/24;H01J23/06;H01J23/10 |
| 代理公司: | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人: | 倪金榮 |
| 地址: | 710024 陜*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子束 輸出波導(dǎo) 軸對(duì)稱 同軸 產(chǎn)生裝置 慢波結(jié)構(gòu) 扇形金屬 外部磁場(chǎng) 靜磁場(chǎng) 連續(xù)波 雙頻 注管 調(diào)諧 電磁波能量 頻率電磁波 動(dòng)能轉(zhuǎn)化 工作頻率 互作用區(qū) 結(jié)構(gòu)參數(shù) 金屬底板 金屬頂板 電磁波 反方向 收集極 內(nèi)筒 外筒 軸向 傳輸 輸出 輻射 | ||
本發(fā)明涉及一種雙頻徑向連續(xù)波太赫茲斜注管,包括軸對(duì)稱金屬頂板、軸對(duì)稱金屬底板、兩個(gè)扇形電子束、兩個(gè)扇形金屬平板慢波結(jié)構(gòu)、同軸輸出波導(dǎo)外筒、同軸輸出波導(dǎo)內(nèi)筒、軸對(duì)稱收集極和外部磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置;外部磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置在高頻互作用區(qū)產(chǎn)生沿著徑向以及軸向的靜磁場(chǎng),兩個(gè)扇形電子束在靜磁場(chǎng)的引導(dǎo)下,沿著徑向的反方向傳輸,并分別與兩個(gè)結(jié)構(gòu)參數(shù)不同的扇形金屬平板慢波結(jié)構(gòu)相互作用,將兩個(gè)扇形電子束的動(dòng)能轉(zhuǎn)化為兩個(gè)不同頻率的電磁波能量,產(chǎn)生的兩個(gè)頻率的電磁波通過(guò)同軸輸出波導(dǎo)輻射出去,能夠同時(shí)產(chǎn)生兩個(gè)頻率電磁波輸出,使得器件的整個(gè)工作頻率調(diào)諧范圍得到了拓寬。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于連續(xù)波太赫茲真空電子輻射源技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種工作在連續(xù)波狀態(tài),能同時(shí)輻射兩個(gè)頻率均大于0.1太赫茲、輸出功率均大于1瓦的太赫茲波段的雙頻徑向連續(xù)波太赫茲斜注管。
背景技術(shù)
近年來(lái)太赫茲技術(shù)得到了巨大發(fā)展,具有一定功率輸出的太赫茲源是太赫茲技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)。基于真空電子學(xué)的太赫茲源能產(chǎn)生較高的輸出功率,因此國(guó)內(nèi)外均大力開展真空電子學(xué)太赫茲源器件的研究,俄羅斯的應(yīng)用物理研究所開展了1THz回旋管的實(shí)驗(yàn)研究,產(chǎn)生了頻率為1.03THz、輸出功率為1kW的太赫茲脈沖信號(hào),日本的福田大學(xué)開展了太赫茲波段連續(xù)波回旋管的實(shí)驗(yàn)研究。西北核技術(shù)研究所圍繞過(guò)模表面波振蕩器,在太赫茲波產(chǎn)生理論、數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)方面也開展了大量的研究工作,在CKP1000和CKP3000加速器上實(shí)驗(yàn)得到了頻率為0.14THz的太赫茲波輸出,利用輻射遠(yuǎn)場(chǎng)功率密度積分法,實(shí)測(cè)功率分別達(dá)到約2.6MW和5MW,并且初步開展了0.14THz同軸結(jié)構(gòu)表面波振蕩器的理論研究工作。為了達(dá)到kW量級(jí)以上的輸出功率,現(xiàn)階段研制的回旋器件以及表面波振蕩器所需的外加引導(dǎo)磁場(chǎng)一般較大,需采用超導(dǎo)線圈產(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng)對(duì)電子束的運(yùn)動(dòng)進(jìn)行約束,導(dǎo)致所研制的太赫茲真空電子器件外部設(shè)備非常龐大,不利于太赫茲真空電子器件的廣泛應(yīng)用。
隨著太赫茲技術(shù)以及微納加工技術(shù)的發(fā)展,太赫茲真空電子器件的一個(gè)重要發(fā)展方向?yàn)橹行≥敵龉β侍掌澰雌骷难兄疲苡糜卺t(yī)學(xué)成像以及探測(cè)等研究領(lǐng)域。該類型太赫茲源所需要的電子束電壓較低、電子束密度較小。隨著器件工作電壓的降低以及電子束密度的減少,所需的外加約束磁場(chǎng)強(qiáng)度采用永磁體以及常溫的螺旋線圈也能達(dá)到,因此整個(gè)太赫茲源的外部設(shè)備得以簡(jiǎn)化,這對(duì)于器件的實(shí)用化具有非常重要的意義。由于真空電子器件的工作頻率達(dá)到太赫茲頻段時(shí),器件橫截面的電尺寸變小,器件的加工精度較難得到保證,傳統(tǒng)的圓柱高頻結(jié)構(gòu)是在金屬圓柱內(nèi)部刻周期性的慢波結(jié)構(gòu),當(dāng)器件工作頻率達(dá)到太赫茲波段時(shí),槽的寬度以及深度達(dá)到微米量級(jí),較難加工出滿足實(shí)驗(yàn)條件的高頻慢波結(jié)構(gòu),采用過(guò)模形式的高頻結(jié)構(gòu)可以降低加工的難度,但同時(shí)會(huì)導(dǎo)致器件的工作模式較難得到控制;采用平板的慢波結(jié)構(gòu)能降低太赫茲真空電子器件加工難度,同時(shí)提高輸出功率。
采用徑向的高頻結(jié)構(gòu)能增加器件的尺寸,在平板結(jié)構(gòu)上加工周期性的慢波結(jié)構(gòu)相對(duì)比較容易,同時(shí)電子槍產(chǎn)生的電子束沿著徑向的反方向傳輸,電子束的電流密度自動(dòng)提高,有利于電子束在慢波結(jié)構(gòu)中激勵(lì)太赫茲頻段電磁波,其次電子槍與高頻結(jié)構(gòu)分離,因此能夠采用輔助磁場(chǎng)設(shè)計(jì)出性能優(yōu)良的電子槍。專利申請(qǐng)?zhí)枮?015107029166的發(fā)明專利“一種徑向結(jié)構(gòu)連續(xù)波太赫茲振蕩器”,該專利提出采用軸對(duì)稱的徑向慢波結(jié)構(gòu)以及軸對(duì)稱的徑向電子束產(chǎn)生頻率為0.1太赫茲以上的電磁波。該發(fā)明專利所提出的器件設(shè)計(jì)方案只能夠在工作頻率附近通過(guò)調(diào)節(jié)電子束電壓進(jìn)行頻率調(diào)諧,頻率的調(diào)諧范圍有限;同時(shí)隨著頻率的調(diào)諧,器件的工作性能會(huì)有一定程度的降低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是解決在低電壓、低磁場(chǎng)的條件下,能同時(shí)輻射兩個(gè)頻率均大于0.1太赫茲、輸出功率均大于1瓦的太赫茲波,使得器件的整個(gè)工作頻率調(diào)諧范圍得到了拓寬的雙頻徑向連續(xù)波太赫茲斜注管。
本發(fā)明的基本原理是:
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