[發明專利]一種SiC JFET串的多階段驅動電路

有效

• 申請號: 201611029426.5
• 申請日: 2016-11-14
• 公開（公告）號: CN106787632B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 韓煥菊;李先允;倪喜軍
• 申請（專利權）人: 南京工程學院
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種SiC JFET串的多階段驅動電路，其特征在于：包括由低壓MOSFET管和N個JFET管依次串聯構成的JFET串以及N個JFET管驅動電路；

N個JFET管驅動電路依次串聯，第i個JFET管驅動電路的輸出端與其相鄰的第i+1個JFET管驅動電路的輸入端連接，i為整數，0iN，N個JFET驅動電路的輸出端分別與N個JFET管的柵極連接；

第1個JFET管驅動電路包括輔助低壓JFET管，輔助低壓JFET管的柵極輸入輔助低壓JFET管的驅動脈沖信號P_GJA，輔助低壓JFET管的源極與JFET串的源極連接，輔助低壓JFET管的漏極為第1個JFET管驅動電路的輸出端；

低壓MOSFET管的驅動信號輸入端輸入驅動脈沖信號P_GM，第2個JFET管驅動電路輸入端輸入N個JFET管的驅動脈沖信號P_GJ，第N個JFET管驅動電路的輸出端與JFET串的漏極之間設置有靜態均壓電阻，低壓MOSFET管為P溝道MOSFET管；其中，低壓MOSFET管的源極作為JFET串的源極，第N個JFET管的漏極作為JFET串的漏極。

2.根據權利要求1所述的一種SiC JFET串的多階段驅動電路，其特征在于：還包括N個驅動電阻，驅動電阻的兩端分別與JFET管驅動電路的輸出端以及該JFET管驅動電路驅動的JFET柵極連接。

3.根據權利要求1所述的一種SiC JFET串的多階段驅動電路，其特征在于：第二個至第N個JFET管驅動電路結構一致，包括并聯的二極管、靜態均壓電阻和電阻電容串聯回路，二極管的陽極、靜態均壓電阻的一端以及電阻電容串聯回路的一端連接成第一節點，第一節點為JFET管驅動電路的輸入端，二極管的陰極、靜態均壓電阻的另一端以及電阻電容串聯回路的另一端連接成第二節點，第二節點為JFET管驅動電路的輸出端。

4.根據權利要求1所述的一種SiC JFET串的多階段驅動電路，其特征在于：JFET串的具體結構為，

低壓MOSFET管的柵極輸入低壓MOSFET管的驅動脈沖信號P_GM，N個JFET管依次串聯，第i個JFET管的漏極與其相鄰的第i+1個JFET的源極連接，第1個JFET管的源極與低壓MOSFET管的漏極連接，第1個JFET管柵極作為JFET串的柵極。

5.根據權利要求1-4任意一項所述的一種SiC JFET串的多階段驅動電路，其特征在于：N=6。